电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

GLZ5.6B_R2_10001

产品描述Zener Diode, 5.6V V(Z), 0.5W,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小146KB,共7页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档 详细参数 全文预览

GLZ5.6B_R2_10001概述

Zener Diode, 5.6V V(Z), 0.5W,

GLZ5.6B_R2_10001规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明O-LELF-R2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗13 Ω
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码O-LELF-R2
膝阻抗最大值500 Ω
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料GLASS
封装形状RECTANGULAR
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压5.6 V
最大反向电流5 µA
反向测试电压2.5 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
最大电压容差2.68%
工作测试电流20 mA
Base Number Matches1

GLZ5.6B_R2_10001文档预览

下载PDF文档
GLZ2.0 SERIES
SURFACE MOUNT ZENER DIODES
VOLTAGE
2.0 to 56 Volts
POWER
500 mWatts
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
0.055(1.4)DIA.
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass MINI-MELF
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.001 ounces, 0.03 grams.
• Mounting Position: Any
• Polarity : Color band denotes cathode end
• Packing information
T/R - 2.5K per 7" plastic Reel
T/R - 10K per 13" plastic Reel
0.020(0.5)
0.012(0.3)
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.020(0.5)
0.012(0.3)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Power Dissipation at T
A
= 25
O
C
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
Value
500
-55 to + 175
-65 to + 175
Units
mW
O
P
TOT
T
J
T
STG
O
Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.
Parameter
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Forward Voltage at I
F
= 100mA
Symbol
Min.
--
--
Typ.
Max.
0.3
1
o
Units
C/mW
V
R
Θ
JA
V
F
--
--
Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.
November 25,2011-REV.04
0.063(1.6)
C
C
PAGE . 1
《新人求教》G2553的URAT怎么用
G2553的URAT怎么用 为什么用CCS上面自带的例程 实现不了串口的接收...
d4824662 微控制器 MCU
TS8900-M149(430最小系统板资料)开发板电路图
本帖最后由 fish001 于 2018-3-10 22:39 编辑 TS8900-M149(430最小系统板资料)开发板电路图 346213 346214...
fish001 微控制器 MCU
【低功耗】较全的FPGA学习资料
800Mbps准循环LDPC码编码器的FPGA实现CCSDS星载图像压缩模块的FPGA设计与实现FPGA和Nios_软核的语音识别系统的研究RC4加密算法的FPGA设计与实现多FPGA系统中自定义高速串行数据接口设计高速专用 ......
dream_byxiaoyu FPGA/CPLD
变压器耦合推挽功率放大电路
一.电路特点 变压器耦合推挽功率放大电路如图Z0411所示。其特点是: 403382 (1)T1和T2,由两个NPN同型号并且特性完全相同的管子组成; (2)利用变压器原、副边匝数比的不同实现阻抗 ......
Aguilera 模拟与混合信号
基于瑞萨R7FC080212芯片的智能学习型万能红外遥控器——(3)红外遥控自学习与发射
本帖最后由 mars4zhu 于 2014-9-24 23:40 编辑 五、红外代码的发射瑞萨的R7FC08芯片有两个Timer,刚好用一个Timer生成38KHz载波,另一个Timer生成调制波的时间。软件流程为: 172963基于R7 ......
mars4zhu 瑞萨MCU/MPU
浅谈GPIO的操作
浅谈GPIO的操作 很久很久以前,我们如果在Linux系统下操作GPIO是这样的...... gpio.c 申请GPIO组控制器,查看cpu内部GPIO的REG地址,对地址写 先使能,后使用 open() read() write() ......
babyking Linux开发
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved