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～高容性负载驱动，为汽车电子化进程注入强劲动力～中国上海，2025年8月5日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，针对汽车照明、汽车门锁、电动车窗等正逐步采用Zone-ECU*1的车身相关应用，推出6款不同导通电阻值的高边IPD*2（智能高边开关）“BV1HBxxx系列”，非常适合用来保护系统免受功率输入过大等问题的影响。全系列产品均符合AEC-Q100车规标...[详细]

2025年10月22日，上海，南芯科技宣布推出工业级高压超低静态电流降压转换器系列产品，仅10μA的超低静态电流，支持最高120V耐压和最大5A的连续电流。高耐压可显著减少外围电压尖峰抑制器件，降低方案体积和成本；超低静态功耗可大大延长电池包待机时间。该系列产品为机器人、通信电源、E-bike、电动工具、储能、BMS等应用场景提供了稳定可靠的高性能国产化替代方案。做更简单的国产...[详细]

创新设计使系统能够采用额定值较低的MOSFET或二极管，同时确保可靠的保护功能，非常适合各种需要12V电池防反接保护的汽车应用伊利诺伊州罗斯蒙特，2025年12月23日-Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今天宣布推出TPSMB非对称系列瞬态抑制二极管(TPSMB2412CA,TPSMB2616CA,TPSM...[详细]

2025年12月16日–提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入(NPI)代理商贸泽电子(MouserElectronics)宣布推出全面的电源管理资源中心。随着紧凑型、高性能和电池供电设备的普及，电源管理设计正成为实现出色性能的关键要素。借助智能电网管理等新型电源管理技术，直流微电网能够提升能源效率和供电质量。其原生直流架构可与直流负载和可再生能源系统（如...[详细]

太阳能系统的发展势头越来越强，光伏逆变器的性能是技术创新的核心。设计该项光伏逆变器旨在尽可能高效地利用太阳能。其中一项创新涉及使用氮化镓(GaN)。氮化镓正在快速取代硅(Si)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)系统。GaN不仅能提高太阳能系统的性能，也能提升整个系统的效率，此外，在保证缩小系统尺寸的同时，还能降低热损耗、易于安装和降低成本。比较GaN、SiC和IGBT...[详细]

灵活的限流设置，提升电阻性、电容性或电感性负载驱动能力2025年12月8日，中国——意法半导体(ST)推出的IPS1050LQ低边开关芯片提供灵活的过流保护功能，包括固定及可动态限流配置能够安全处理高浪涌电流。该芯片输出级最大额定电压为65V，可用于可编程逻辑控制器(PLC)、工厂自动化和数控机床等设备。这款芯片有三个用于选择动/静态模式和设置限流值的引脚，可设置八个限...[详细]

摘要在系统级电路解决方案中，为了实现或平衡“简洁与高效”这两大目标，往往需要统筹考量硬件架构与软件算法。主动均衡正是这种系统级解决方案的典型体现。在硬件层面，设计人员需审慎选择合适的IC和元器件以实现能量转移；与此同时，主动均衡策略的设计，即主导均衡过程的关键算法，也应给予同等重视。本文深入探讨了电池管理系统(BMS)高效主动均衡设计背后的架构和算法。引言承续本系列已阐述的主动...[详细]

Littelfuse推出行业首创超大电流SMD保险丝系列以紧凑的SMD封装提供150A和200A额定电流，简化设计并节省PCB空间芝加哥2024年10月15日讯--Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出871系列超大电流SMD保险丝，这一创新系列是对881系列的补充，提供150A和200A保险丝额定电流...[详细]

【2024年11月27日,德国慕尼黑讯】现代分散式分区配电架构需要可靠的解决方案。英飞凌科技股份公司通过PROFET™WireGuard为开发人员提供先进的现代配电线路保护。与传统保险丝相比，该产品系列通过集成的精确I²t线路保护曲线大幅提高了线路应力特性仿真的准确性，并且可根据应用要求选择六种实施曲线。结合其他功能，这一精确的集成I²t线路保护可在取代机械继电器和保险丝的同时优...[详细]

问题如果DC-DC器件具有两个输出，但用作单路两相输出，这会如何影响软启动时序？回答如果器件有两个独立的软启动引脚，每个引脚都有各自的电流源，现在将二者并联连接，形成单路输出设计，此时电流源值会加倍，相同的输出电容将表现出原来一半的时序。为了实现相同的软启动时序，软启动电容值也需要加倍。摘要电源管理IC(PMIC)通常包含称为软启动的内置功能。软启动功...[详细]

11月13日消息，日前，太蓝新能源携手长安汽车共同宣布了一项重大技术突破——无隔膜固态锂电池技术的发布。太蓝通过颠覆性创新实现无隔膜固态电池技术突破，同等条件下，无隔膜半固态电池安全性能比液态锂电池大幅提升，电池安全测试远超国标要求。据官方介绍，无隔膜固态电池技术通过极片复合固态电解质层实现隔膜功能替代，最薄小于1微米，而且具备柔性，可以卷绕。这种极片复合固态电解质层能有效抑制高温、过充、...[详细]

车规级器件采用节省空间的SOP-4封装，典型导通和关断时间为0.1ms，达到业内先进水平美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2024年10月22日—日前，威世科技VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出业内先进的1FormA固态继电器---VORA1010M4，该器件通过AEC-Q102认证，负载电压达100V。Vishay...[详细]

为推动人机界面（HMI）开发的进步，Bridgetek宣布了与屡获殊荣的嵌入式视频引擎（EVE）平台有关的更多公告。BT817和BT818作为该公司的第四代EVE产品，遵循已经确立的口号，即帮助那些没有相关经验人构建具有高度差异性的高级HMI。这些新型功能优越的图形控制器IC旨在用于零售，数字标牌和办公管理系统，以及公共信息部门，自动售货机，家用电器，商店/商场方向查找系统，培训/教育设...[详细]

高可靠性，高性能氮化镓功率转换产品供应商Transphorm与贝尔集团（BelGroup）联合宣布Bel的钛效率电源中使用了六个Transphorm的高压GaNFET，这表明，氮化镓在数据中心服务器，路由器和网络交换机中部署了高性能，宽带隙电源单元（PSU）中保持着增长趋势。六个基于GaN的TET系列PSU是交流到直流电源。其中包括TET3000系列，这是业界首款可实现钛效率的AC-D...[详细]

本文作者：Cree联合创始人兼CTOJohnPalmour经过近二十年的研发，2011年，Cree向业界发布了世界上首款SiCMOSFET（碳化硅），打破了人们的质疑。在发布之前的几年中，业界普遍的观点是由于存在太多的缺陷，SiC功率晶体管无法量产，SiCMOSFET永远无法使SiC上的氧化物绝缘体可靠。尽管我们的竞争对手试图寻求其他SiC器件（如JFET和BJT）来解决这个问题，...[详细]