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BAL99TBT/R7

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小125KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BAL99TBT/R7概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

BAL99TBT/R7规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

BAL99TBT/R7文档预览

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BAW56TB,BAV70TB,BAV99TB,BAL99TB
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
VOLTAGE
FEATURES
• Fast switching speed.
• Surface mount package Ideally Suited for Automatic insertion
• Electrically Identical to Standard JEDEC
• High Conductance
0.052(1.30)
0.043(1.10)
0.067(1.70)
0.059(1.50)
100Volts
POWER
200mWatts
SOT-523
0.013(0.33)
0.009(0.23)
Unit
inch(mm)
0.044(1.10)
0.035(0.90)
0.067(1.70)
0.059(1.50)
0.024(0.60)
0.019(0.50)
MECHANICAL DATA
Case : SOT-523, Plastic
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx. Weight : 0.002gram
0.012(0.30)
0.004(0.10)
0.007(0.17)
0.002(0.07)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
O
C ambient temperature unless otherwise specified. For capacitive load, derate current by 20%.
PA RA M E TE R
M a r k i ng C o d e
R e ve r s e V o l t a g e
P e a k R e ve r s e V o l t a g e
R e c t i f i e d C ur r e nt ( A ve r a g e ) , H a l f Wa ve
R e c t i f i c a t i o n w i t h R e s i s t i ve L o a d a nd f > = 5 0 H z
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt , 1 . 0 us
P o w e r D i s s i p a t i o n D e r a t e A b o ve 2 5
O
C
S i ng l e D i o d e
D o ub l e D i o d e
V
R
V
RM
I
O
I
F S M
P
TOT
S YM B O L
B AW 5 6 TB B AV 7 0 TB
LB
LC
75
100
150
75
4 .0
200
0 . 7 1 5 @ IF = 0 . 0 0 1 A
0 . 8 5 5 @ IF = 0 . 0 1 A
1 . 0 @ IF = 0 . 0 5 A
1 . 2 5 @ IF = 0 . 1 5 A
0 .0 3
2 .5
1 .5
4 .0
833
-5 5 to +1 5 0
C ommon
A no d e
C ommon
C a t ho d e
S eri es
S i ng l e ( A l t )
O
B AV 9 9 TB
LD
B A L 9 9 TB
LF
U N IT S
V
V
mA
A
mW
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt a t 2 5 V
75V
M a xi m um J unc t i o n C a p a c i t a nc e ( N o t e s 1 )
M a x i m u m R e v e r s e R e c o v e r y Ti m e ( N o t e s 2 )
Ty p i c a l M a x i m u m T h e r m a l R e s i s t a n c e
J u n c t i o n Te m p e r a t u r e R a n g e
C i r c ui t F i g ur e
V
F
V
I
R
C
J
T
RR
R
θ
J A
T
J
µ
A
pF
ns
C / W
O
C
COMMON ANODE
COMMON CATHODE
SERIES
SINGLE (Alt)
NOTE:
1. CJ at V
R
=0, f=1MHZ
2.From I
F
=10mA to I
R
=1mA, V
R
=6Volts, R
L
=100Ω
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