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HBAT-5402-TR2

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 30V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小222KB,共8页
制造商Hewlett Packard Co
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HBAT-5402-TR2概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 30V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon

HBAT-5402-TR2规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hewlett Packard Co
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW CAPACITANCE
最小击穿电压30 V
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大正向电压 (VF)0.8 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流1 A
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.43 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

 
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