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SBL30L30CTW

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 32V V(RRM), Silicon, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小135KB,共2页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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SBL30L30CTW概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 32V V(RRM), Silicon, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3

SBL30L30CTW规格参数

参数名称属性值
厂商名称台湾光宝(LITEON)
零件包装代码TO-220AB
包装说明R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流220 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流30 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压32 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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SBL30L30CTW
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
FEATURES
REVERSE VOLTAGE – 32 Volts
FORWARD CURRENT – 30 Amperes
TO-220AB
Metal of silicon rectifier, majority carrier conduction
Guard ring for transient protection
Low power loss, high efficiency
Very low forward voltage drop
High surge capability
Plastic package has UL flammability classification
94V-0
For use in low voltage, high frequency inverters, free
wheeling, and polarity protection applications
MECHANICAL DATA
Case : TO-220AB mold plastic
Polarity : As marked on the body
Weight : 0.08 ounces, 2.24 grams
Mounting position : Any
Max. mounting torque = 0.5 N.m (5.1 Kgf-cm)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
°C
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PARAMETER
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Average Rectified Output Current
Peak Forward Surge Current 8.3ms single
half sine-wave
Maximum Forward Voltage (Note 1)
Maximum DC Reverse Current at
Rated DC Blocking Voltage
@TC=120°C
@Tj=25°C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
SBL30L30CTW
32
22.4
32
30
220
0.57
0.38
0.50
1.5
350
1650
1.5
0.8
-55 to +150
-55 to +150
UNIT
V
V
A
A
IF=30A@Tj=25°C
IF=15A@Tj=125°C
IF=30A@Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
V
I
R
C
J
R
Θ
JC
T
J
T
STG
mA
P
F
Typical Junction Capacitance per element (Note 2)
Typical Thermal rESISTANCE (Note 3)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Notes :
(1)
(2)
(3)
Per diode
Per device
°C/W
°C
°C
REV. 0, Aug-2009, KTHC80
300us Pulse Width, 2% Duty Cycle.
Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
Thermal Resistance Junction to Case. Device mounted on 200 x 200 x 5 mm Aluminium plate.
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