电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

3KP180A_R2_00001

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 180V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小104KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档 在线购买 详细参数 全文预览

3KP180A_R2_00001在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
3KP180A_R2_00001 - - 点击查看 点击购买

3KP180A_R2_00001概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 180V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

3KP180A_R2_00001规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE, UL RECOGNIZED
最大击穿电压230.4 V
最小击穿电压198 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散3000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压180 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

3KP180A_R2_00001文档预览

下载PDF文档
3KP SERIES
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR PEAK PULSE POWER 3000 Watts
STAND-OFF VOLTAGE
5 to 220 Volts
Recongnized File # E210467
1.0(25.4)MIN.
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• Glass passivated chip junction in P-600 package
• 3000W Peak Pulse Power capability at on 10/1000µs waveform
0.052(1.3)
0.048(1.2)
0.360(9.1)
• Excellent clamping capability
• Low zener impedance
• Repetition rate(Duty Cycle):.05%
• Fast response time: typically less than 1.0 ps from 0 volts to BV min
• High temperature soldering guaranteed: 260°C/10 seconds/.375"
,(9.5mm) lead length/5lbs., (2.3kg) tension
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.340(8.6)
MECHANICAL DATA
• Case: JEDEC P-600 molded plastic
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Color band denotes cathode end
• Mounting Position: Any
• Weight: 1.75 ounce, 0.067 gram
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS
For Bidirectional use C or CA Suffix for types 3KP5.0 thru types 3KP220
Electrical characteristics apply in both directions.
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS
Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified.
Rating
Peak Power Dissipation at T
A
=25
O
C, T
P
=1ms (Notes 1)
Typical Thermal Resistance Junction to Air Lead Lengths .375", (9.5mm) (Notes 2)
Peak Pulse Current on 10/1000μs waveform (Notes 1)
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-Wave
Superimposed on Rated Load (JECED Method) (Notes 3)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
P
PP
R
θJA
I
PPM
I
FSM
T
J
,T
STG
Value
3000
15
see Table
300
-55 to +175
Units
Watts
O
1.0(25.4)MIN.
0.360(9.1)
0.340(8.6)
C/W
Amps
Amps
O
C
NOTES :
1.Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T
A
=25°C per Fig. 2.
2.Mounted on Copper Leaf area of 0.79in
2
(20mm
2
).
3.8.3ms single half sine-wave, duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.
4.A transient suppressor is selected according to the working peak reverse voltage (V
RWM
), which should be equal to or greater than the DC
or continuous peak operating voltage level.
November 21,2012-REV.05
PAGE . 1
accept的疑问 (服务器端的accept是如何获的客户端的IP的)
刚接触网络编程的内容 读一个程序 有个问题很困惑 服务器端的accept是如何获的客户端的IP的 accept(sockfd,(struct sockaddr *)(&client_addr),&sin_size) 对于这个client_addr的结构只是 ......
wangshaolei8701 嵌入式系统
请问有用过TD035STEE1这款TFT LCD的达人吗
请问有用过TD035STEE1这款TFT LCD的达人吗?我CPU用的是S3C2440,跑WINCE5.0;怎么整显示屏都是白屏,到底是怎么回事啊?我快疯了,帮帮我吧!...
dzkuchun 嵌入式系统
电子元件高密度封装技术
电子元件高密度封装技术...
linda_xia 模拟电子
F2806x操作EEPROM AT24C512C问题
F2806x操作EEPROM AT24C512C问题时,读EEPROM数据时,没有问题,但是写EEPROM却没法写进去(写保护引脚接地了,即没有进行写保护),读EEPROM数据时,先也要写设备字和地址,但是读EEPROM中的数 ......
喜鹊王子 微控制器 MCU
【LPC54100】Lis3dh+Gnuplot+Mysql
哎,带小宝宝太忙着,有点对不住管理员nmg。。今天趁着姑娘睡了,赶紧起来搞一下。 有些事情要做好还是要看当前的情况/环境了,这次基于lpc54100的6lowpan网络感觉有点完成不了了,事情蛮 ......
lyzhangxiang NXP MCU
2010年北京市电子竞赛的通知
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:19 编辑 2010年北京市电子竞赛的通知 关于2010年北京市电子竞赛的通知根据教育部教高司函〔1999〕41号文件及全国大学生电子设计竞赛组委会电组字〔2001 ......
dtcxn 电子竞赛
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved