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ER802_T0_00001

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AC,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小128KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ER802_T0_00001概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AC,

ER802_T0_00001规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
应用SUPER FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流1 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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ER800~ER806
SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
VOLTAGE
50 to 600 Volts
CURRENT
FEATURES
• Superfast recovery times-epitaxial construction.
• Low forward voltage, high current capability.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228.
• Hermetically sealed.
• Low leakage.
• High surge capability.
• Plastic package has Underwriters Laboratories
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
8 Amperes
MECHANICAL DATA
• Case: Molded plastic, TO-220AC
• Terminals: Axial leads, solderable to MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: As marking
• Weight: 0.0655 ounces, 1.859 grams.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Resistive or inductive load, 60Hz.
PA RA ME TE R
Ma xi m um R e c ur re nt P e a k Re ve rs e V o lt a g e
Ma xi m um R M S Vo lta g e
Ma xi m um D C B lo c k i ng V o lt a g e
Ma xi m um A ve r a g e F o rwa r d C ur re nt a t T
C
= 7 5
O
C
P e a k F o rwa r d S urg e C ur re nt, 8 . 3 ms s i ng le ha lf s i ne -wa ve
s up e ri m p o s e d o n ra te d lo a d (J E D E C m e tho d )
Ma xi m um F o rwa rd V o lta g e a t 8 A ( No t e 1 )
Ma xi m um D C Re ve rs e C urre nt a t R a t e d D C B lo c k i ng T
J
= 2 5
O
C
Vo lt a g e
T
J
= 1 0 0
O
C
Ma xi m um R e ve r s e R e c o ve r y Ti m e ( No t e 1 )
Typ i c a l J unc ti o n C a p a c i ta nc e ( No te 2 )
Typ i c a l t he rm a l Re s i s t a nc e (No t e 3 )
Op e r a ti ng J unc ti o n a nd S t o ra g e Te m p e ra t ure R a ng e
S YM B OL
E R8 0 0 E R8 0 1 E R8 0 1 A E R8 0 2 E R8 0 3 E R8 0 4 E R8 0 6
U NITS
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
J
C
T
J
,T
S TG
35
65
3
-5 5 t o + 1 5 0
O
50
35
50
100
70
100
150
105
150
200
140
200
8
125
300
210
300
400
280
400
600
420
600
V
V
V
A
A
0 .9 5
1
300
1 .3
1 .7
V
A
50
ns
pF
C / W
O
C
NOTES:
1. Pulse Test with PW=300 usec, 2% Duty Cycle.
2. Reverse Recovery Tset Conditions:I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,Irr=0.25A
3. Mounted on P.C. Board with 14mm2 (.013mm thick) copper pad areas.
January 25,2013-REV.07
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