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M29W008EB90N6E

产品描述8 Mbit (1Mb x 8, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
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文件大小182KB,共43页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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M29W008EB90N6E概述

8 Mbit (1Mb x 8, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

M29W008EB90N6E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码TSOP
包装说明10 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-40
针数40
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间90 ns
其他特性BOTTOM BOOT BLOCK
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
数据轮询YES
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G40
JESD-609代码e3/e6
长度18.4 mm
内存密度8388608 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模1,2,1,15
端子数量40
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP40,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度10 mm

 
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