8 Mbit (1Mb x 8, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | TSOP |
包装说明 | 10 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-40 |
针数 | 40 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 90 ns |
其他特性 | BOTTOM BOOT BLOCK |
启动块 | BOTTOM |
命令用户界面 | YES |
数据轮询 | YES |
耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G40 |
JESD-609代码 | e3/e6 |
长度 | 18.4 mm |
内存密度 | 8388608 bi |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
部门数/规模 | 1,2,1,15 |
端子数量 | 40 |
字数 | 1048576 words |
字数代码 | 1000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 1MX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP1 |
封装等效代码 | TSSOP40,.8,20 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 3/3.3 V |
编程电压 | 3 V |
认证状态 | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES |
座面最大高度 | 1.2 mm |
部门规模 | 16K,8K,32K,64K |
最大待机电流 | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.02 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | MATTE TIN/TIN BISMUTH |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.5 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
切换位 | YES |
类型 | NOR TYPE |
宽度 | 10 mm |
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