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M36DR432A100ZA6C

产品描述32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product
产品类别存储    存储   
文件大小237KB,共46页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M36DR432A100ZA6C概述

32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product

M36DR432A100ZA6C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码BGA
包装说明0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
针数66
Reach Compliance Code_compli
最长访问时间100 ns
其他特性THE DEVICE ALSO CONTAINS A 4 MBIT (256K X16) SRAM
JESD-30 代码R-PBGA-B66
JESD-609代码e0
长度12 mm
内存密度33554432 bi
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度16
混合内存类型FLASH+SRAM
功能数量1
端子数量66
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装等效代码BGA66,8X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源1.8/2 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最大压摆率0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)2.2 V
最小供电电压 (Vsup)1.65 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度8 mm

 
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