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GS1G-AU_R1_100A1

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小110KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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GS1G-AU_R1_100A1概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN

GS1G-AU_R1_100A1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明SMA, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
参考标准AEC-Q101; TS 16949
最大重复峰值反向电压400 V
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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GS1A-AU~GS1M-AU
SURFACE MOUNT RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
For surface mounted applications
Low profile package
Built-in strain relief
Easy pick and place
Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
Low Forward Drop
High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals
Glass Passivated Chip Junction
Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
Acqire quality system certificate : TS16949
Manufactured in accordance with AECQ101
0.114(2.90)
0.098(2.50)
0.181(4.60)
0.157(4.00)
0
.
012(0
.
305)
0
.
006(0.152)
0.008(0.203)
0.002(0.051)
0.208(5.28)
0.188(4.80)
50 to 1000 Volts
CURRENT
1.0 Amperes
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-214AC molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: Indicated by cathode band
Standard packaging: 12mm tape (EIA-481)
Weight: 0.002 ounce, 0.067 gram
0.060(1.52)
0.030(0.76)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re c urre nt P e a k Re ve rse Vo lta g e
Ma xi mum RMS Vo lta g e
Ma xi mum D C B lo ck i ng Vo lta g e
Ma xi mum A ve ra g e F o rwa rd C urre nth a t T
L
=1 0 0
O
C
P e a k F o r wa r d S ur g e C urre nt : 8 .3 ms si ng le ha lf si ne -wa ve
sup e ri mp o se d o n ra te d lo a d (JE D E C me tho d )
Ma xi mum F o rwa rd Vo lta g e a t 1 .0 A
Ma xi mum D C Re ve rse C urre nt a t T
J
=2 5
O
C
Ra te d D C B lo ck i ng Vo lta g e T
J
=1 2 5
O
C
Typ i c a l Juncti o n c a p a ci ta nc e (No te 1 )
Typ i c a l Juncti o n Re s i sta nce (No te 2 )
Op e r a ti ng a nd S to ra g e Te mp e ra ture Ra ng e
S YMB OL GS 1 A -A U GS 1 B -A U GS 1 D -A U GS 1 G-A U GS 1 J-A U GS 1 K -A U GS 1 M-A U UNITS
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
R
θJL
T
J
,T
S TG
50
35
50
100
70
100
200
140
200
0.062(1.60)
0.047(1.20)
400
280
400
1 .0
30
1 .1
1 .0
50
12
30
-5 5 to +1 5 0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
μ
A
pF
O
C /
W
C
O
NOTES:1. Measured at 1 MHz and applied V
r
= 4.0 volts.
2. 8.0 mm
2
( .013mm thick ) land areas.
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1
PAGE . 1
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