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GBU4K_B0_00001

产品描述Bridge Rectifier Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小640KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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GBU4K_B0_00001概述

Bridge Rectifier Diode,

GBU4K_B0_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PSFM-T4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
最小击穿电压800 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流4 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压800 V
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

GBU4K_B0_00001文档预览

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...GBU4G~GBU4M
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
VOLTAGE
400 to 1000 Volts
FEATURES
UL Recognized File #E228882
•Plastic material has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• Ideal for printed circuit board
• Reliable low cost construction utilizing molded plastic technique.
• lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
CURRENT
4 Amperes
GBU
Unit: Inch(mm)
0.085(2.16)
0.065(1.65)
0.880(22.3)
0.854(21.7)
C0.118(C3.0)
0.150(3.80)
0.133(3.40)
0.140(3.55)
0.124(3.15)
R0.069(1.75)
0.107(2.7)
0.070(1.8)
0.099(2.5)
0.082(2.1)
0.050(1.27)
0.040(1.02)
0.210(5.33)
0.190(4.83)
0.210(5.33)
0.190(4.83)
MECHANICAL DATA
• Case: GBU
•Terminals: Leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked on body
• Mounting torque: 5 inch-lbs. Max.
• Weight: 4g
0.210(5.33)
0.190(4.83)
0.024(0.6)
0.015(0.4)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25°
Cambient temperature unless otherwise specified.
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current,8.3 ms single half
sine-wave
Rating of fusing ( t<8.3ms) (Note1)
Maximum instantaneous forward
voltage per diode
IF= 2 A
IF= 4 A
Maximum reverse current
@ rated VR
TJ=25°
C
TJ=125°
C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
GBU
4G
400
280
400
GBU
4J
600
420
600
4
150
93
1.0
1.1
5
500
C
J
R
θJA
R
θJC
T
J
T
STG
39
22
4
- 55 to +150
- 55 to +150
pF
°
C/W
°
C
°
C
GBU
4K
800
560
800
GBU
4M
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
A
I
F(AV)
I
FSM
I t
V
F
2
A s
V
I
R
μA
Typical junction capacitance (Note 2)
Typical thermal resistance
(Note 3)
(Note 4)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Non-repetitive, for t>1ms and<8.3ms.
Note 2: Measured at 1MHz and applied Reverse bias of 4.0V DC
Note 3: Products installed on the PCB, Without heatsink。
Note 4: Products installed on aluminum plate heatsink。
Dec 30,2016-REV.09
Page 1
0.729(18.5)
0.689(17.5)
0.052(1.3)
0.035(0.9)
0.400(10.1)
0.389(9.9)
0.740(18.8)
0.716(18.2)
2
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