Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> KTA2014-2

文档预览

KTA2014-2: 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小738KB，共1页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

下载文档详细参数全文预览

KTA2014-2概述

Transistor

KTA2014-2规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	长电科技(JCET)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknown
最大集电极电流 (IC)	0.15 A
基于收集器的最大容量	7 pF
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	70
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP
功耗环境最大值	0.1 W
最大功率耗散 (Abs)	0.1 W
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	80 MHz
VCEsat-Max	0.3 V
Base Number Matches	1

KTA2014-2文档预览

下载PDF文档

全文
预览

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors

SOT-323

KTA2014

TRANSISTOR (PNP)

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

FEATURES

Low frequency power amplifier application

Power switching application

MAXIMUM RATINGS (T

=25

℃

unless otherwise noted)

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current –Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Value

-50

-5

150

100

150

-55-150

Unit

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off

Emitter

cut-off

current

Symbol

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

CBO

EBO

CE(sat)

Test conditions

=- 0.1mA,

Min

-50

-5

-0.1

400

-0.3

MHz

Typ

Max

Unit

μA

= -1mA, I

=-0.1mA, I

=-50V, I

= -5V, I

=-6V,I

=-2mA

=-100mA, I

= -10mA

=-10V, I

=-1mA,

=-10V, I

f=1MHz

=-6V, I

=-0.1mA

f=1KHz,Rg=10KΩ

DC current

gain

Collector-emitter saturation voltage

Transition

frequency

Collector output capacitance

Noise Figure

CLASSIFICATION OF h

Rank

Range

MARKING

O(2)

70-140

Y(4)

120-240

GR(6)

200-400

A,May,2011

推荐资源

msp430f149 为什么只有A0和B0 能捕捉脉冲，Time A\B 的其他口为不能捕捉脉冲？？？: 如题问题纠结了好长时间，望高手给予指点……...; ceozxy 微控制器 MCU

偶新来的，还请各位帅哥多关照啊。: 一个人在沙漠行走，终于找到一片绿洲。纯散分。...; mp3mp4 嵌入式系统

电动消防车: 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 04:05 编辑 2012年大学生电子设计竞赛黑龙江赛区TI杯竞赛题A题: 电动消防车（本科）一、任务设计制作一个电动消防车，能到消防场地任意地点进行灭火作业。以 ......; wateras1 电子竞赛

哈哈，超级高兴，老大表扬我喽！！: 近来公司网络很不稳定，时不时出现所有人不能上网的现象，我在其中一台电脑上装上了赛门铁克的网络安全特警NIS2007，马上2007就发现了一个ARP病毒，我把所有的电脑都装上了NIS2007，老大很高兴 ......; liumapple 嵌入式系统

给利尔达的小板子做了转接板: 话说利尔达怎么不做个最小系统板，方便评估呀 303645 303646 ...; dql2016 NXP MCU

【TI首届低功耗设计大赛】总结帖: 本帖最后由 lonerzf 于 2015-1-4 22:29 编辑首先呢，这个活动本身挺好，给的时间也很充裕了。但是，个人想象力受限，实在想不出什么好的创意。既要突出低功耗，又要结合使用TI的MSP430FR596 ......; lonerzf 微控制器 MCU

新18号文已起草完毕 2012年前优惠政策不变

在11日开幕的第十三届软博会上，发改委及工信部相关负责人透露，即将于2010年底到期的《鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策》的延续政策(业内称“新18号文”)已经起草完毕，已有的优惠政策在2012年前不会改变。在11日举行的第十三届软博会上，国家发改委高新技术司副司长顾大伟透露，“新的鼓励软件产业发展政策的起草工作已经基本完成”。工信部软件司司长赵小凡证实，顾大伟所言的“新的...[详细]
ST企业责任报告宣示"可持续卓越"新进展

全球领先半导体制造商之一意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）日前公布2008年企业责任报告。该报告涉及意法半导体在2008年的所有经营活动和地区分公司，包含公司在社会、环境、健康及安全和公司管理等方面的详细绩效指标，并重申公司多年坚持的按照道德、透明、卓越原则为利益相关者服务的承诺。2008年企业责任报告显示，意法半导体在环境保护、员工福利、社区参与和产品责任等企业责任传统优...[详细]
碳芯片技术是否准备迈向商业化？

市场研究机构Gartner资深分析师DeanFreeman认为，在碳科技中已经最接近商业化的，就是发展时间已经超过15年的钻石。钻石是三维架构的碳，根据供应硅晶圆片上40纳米(nm)~15微米(micron)钻石薄膜的厂商指出，其散热效率是硅的10倍。二维架构的碳，是厚度3埃(angstrom)的单分子层，又称为石墨烯(graphene)，则可藉由比硅高十倍的电子迁移率，达到兆...[详细]
英飞凌计划配售7.25亿欧元新股

英飞凌科技股份公司宣布，计划以每股2.15欧元的价格，配售3.37亿股新股。根据需获得德国联邦金融监管局（BaFin）批准的募股说明书规定，这些新股将供英飞凌股东认购。阿波罗全球管理公司（ApolloGlobalManagementLLC）管理的基金已经同意根据具体条件，以上述认购价格购买约3.26亿股未认购新股。英飞凌预计将在近期宣布此次股票配售计划的细节，其中包括认购期的时间安排...[详细]
传NEC筹16亿美元用于并购瑞萨和加强投资

据《日本读卖新闻》报道，NEC正考虑筹集1500亿日圆(约16亿美元)资金，用于NEC电子并购瑞萨科技(RenesasTechnology)的重组以及一些增长领域的投资。该报道没有引述消息来源。关于此事，NEC在一份声明中表示，公司尚未就融资事宜做出任何决定.目前，NEC需要资金用于完成NEC电子并购瑞萨科技(RenesasTechnology)，另外公司还需要在锂...[详细]
XMOS采用微捷码Talus 1.1提高性能

芯片设计解决方案供应商微捷码（Magma®）设计自动化有限公司（纳斯达克代码：LAVA）日前宣布，事件驱动处理器（event-drivenprocessors™）领域领导者XMOS公司采用Talus1.1IC实现系统完成了其近期发布的XS1-L1XCore™的投片。XMOS很早就对Talus1.1进行了测试，在测试结果显示它带来了XCore处理器设计收敛方面有效改善后才升级使用这...[详细]
硅晶圆厂MEMC盈余骤减称太阳能需求不明

全球硅晶圆制造巨擘MEMCElectronicMaterials于23日美股盘后公布2009年第2季(4-6月)财报：受整体经济环境疲弱的影响，每股盈余达0.03美元，远逊于去年同期的0.76美元；营收年减46.8%(季增32.2%)至2.829亿美元。根据ThomsonReuters的调查，分析师原先预期本业每股盈余、营收各为损益两平、2.312亿美元。　　MEMC指出，Q2...[详细]
AMD分拆出的工厂就像二战战败的德国

台积电董事长兼CEO张忠谋近日出席公司财报说明会时表示，AMD分拆的芯片工厂就像二战时全军覆没的德国，营运若没有结果，那就只是金钱的消耗而已。据悉这是张忠谋回任CEO后首次主持财报说明会，一袭黑色西装精神抖擞，整场站着回答问题，还幽默地提醒在场的记者：“Thisisstillmyshow（这是我的场子）”。台积电第三财季合并营收约880亿至900亿元新台币，比第...[详细]
Cadence推出支持28nm工艺节点设计解决方案

Cadence公司今天宣布，Cadence®Encounter®数字实现系统(EncounterDigitalImplementationSystem)解决方案，包括设计收敛、低功耗、可制造性设计、混合信号与签收技术，以及系统级封装设计技术，已经融入台湾积体电路制造股份有限公司(以下简称台积电)设计参考流程10.0版中。Cadence公司的RTL-to-GDSII设计功能让设计人...[详细]
半导体产业既乐观又担忧的7个理由

尽管最近市场调研公司VLSI仍不修正半导体业阴沉的预测，即09年全球设备市场下降44.2%及半导体市场下降12.4%，而其CEOHutcheson对于IC工业仍非常乐观。根据与Hutcheson的对话及公司的最新报告，以下将结论刊出，共有4个正面意见及2个负面看法。以下是为什么分析师呈现乐观或者担心的原因。1.看到回升7月的周报IC销售额上升到33亿...[详细]
张忠谋称台积电将展开3年内首笔收购

据国外媒体报道，台积电CEO张忠谋近日表示，为了扭转长达10年的销售增幅放缓，该公司将在光电及LED(液晶)行业寻找收购目标。台积电目前正与多家公司接触，即将展开自2007年以来的首笔收购。张忠谋近日接受媒体采访时表示，公司将在太阳能及LED行业展开收购，但没有透露具体的收购目标或投资金额。他说道，“我们可以首先收购一家小公司，然后推动它的成长。”今年6月份张忠谋撤下蔡...[详细]
NEPCON展会:探寻融合趋势下的技术走向

2008年深圳IT产业产值达到七千八百多亿元人民币，约占中国电子信息产业产值的六分之一，增长一成三。以深圳为中心的华南地区电子信息产业一直引领着国内电子制造行业的发展。在金融危机的席卷之下，华南电子制造企业受到不同程度的影响，行业洗牌也在所难免。有专家指出技术业务融合和产业链分化整合的趋势日渐明显，行业界限日益模糊，需要对基于产业链的大行业管理模式进行新的探索。日前华南最具权威...[详细]
二季度IC厂商排名剧烈动荡，AMD跌出前十

据市场调研公司ICInsights，第二季度芯片销售反弹，导致整体IC厂商排名出现重大变化。据ICInsights，按第二季度销售额，IC销售额排名上升的厂商包括海力士半导体、联发科与台积电。排名下降的厂商包括AMD、飞思卡尔与富士通。英特尔(Intel)仍然是头号IC供应商，下面依次是三星电子(Samsung)、东芝(Toshiba)与德州仪器(TI)。台积电(T...[详细]
NAND厂商排名预测：三星稳居市占龙头

研究机构集邦科技(DRAMeXchange)针对NANDFlash产业发表最新研究报告指出，估计三星(Samsung)今年稳居全球市占率龙头，而海力士(Hynix)因为大幅减产，市占率恐将下滑至第五名。集邦科技指出，根据各NANDFlash供货商目前的制程技术、产能、营运状况分析，三星因为拥有较大产能和制程持续转往42nm及3xnm，预期今年市占率40%以上居冠，日本东芝(T...[详细]
知识产权：要热度也要温度

中国知识产权事业近年来取得了迅猛发展。权威数据显示，2007年，国家工商行政管理总局商标局共受理商标注册申请70.8万件，连续6年位居世界第一。截至2008年3月，国家知识产权局累计受理专利申请已达418.9万多件。伴随《国家知识产权战略纲要》的发布，中国知识产权事业的发展势头越发强劲。知识产权体系建设绝非一时之功，若想取得全面突破，保持一种全方位的、全民式的热度绝对不可或缺。唯...[详细]

小广播

热搜元器件