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DAN222

产品描述Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小159KB,共3页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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DAN222概述

Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

DAN222规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)255
最大功率耗散0.15 W
认证状态Not Qualified
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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DAN222
SURFACE MOUNT
FAST SWITCHING DIODE
FEATURES
REVERSE VOLTAGE – 80 Volts
FORWARD CURRENT – 0.1 Ampere
SOT-523
SOT-523
Dim.
A
A1
b
c
D
E
E1
e
e1
L
Min.
Max.
Fast switching speed
Ideally suited for automatic insertion
For general purpose switching applications
MECHANICAL DATA
Case: SOT-523 Plastic
Case material: “Green” molding compound, UL
flammability classification 94V-0, (No Br. Sb. CI)
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020D
Lead free in RoHS 2002/95/EC compliant
0.70
0.90
0.00
0.10
0.25
0.325
0.10
0.20
1.50
1.70
1.45
1.75
0.75
0.85
0.50 Typ.
0.90
1.10
0.55 Ref.
Dimensions in millimeter
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
@ T
A
= 25℃ unless otherwise specified
Characteristic
Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Forward Continuous Current
Average Rectified Output Current
Peak Forward Surge Current
Power Dissipation
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
@t=1.0us
Symbol
V
RM
V
R
I
FM
I
O
I
FSM
P
D
T
J
T
STG
DAN222
80
80
300
100
2
150
150
-55~+150
Units
V
V
mA
mA
A
mW
Electrical Characteristics
@
T
A
= 25℃ unless otherwise specified
Characteristic
Reverse Breakdown Voltage
Maximum Forward Voltage
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Diode Capacitance
Reverse Recovery time
Test Condition
I
R
= 100uA
I
F
= 100mA
V
R
= 70V
V
R
=0V,f=1MHz
V
R
=6V, I
F
=5mA
Symbol
V
BR
V
F
I
R
C
D
trr
Min.
80
--
--
--
--
Typ.
--
--
--
--
--
Max.
--
1.2
0.1
3.5
4
Unit
V
V
uA
pF
ns
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