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2SB154100MAYY

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 3A, 100V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小48KB,共2页
制造商士兰微(Silan)
官网地址http://www.silanic.com.cn/
标准
杭州士兰微电子股份有限公司(上交所股票代码:士兰微,600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业,公司目前的主要产品是集成电路和半导体产品。
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2SB154100MAYY概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 3A, 100V V(RRM),

2SB154100MAYY规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.85 V
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流3 A
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
Base Number Matches1

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2SB154100MA
2SB154100MA SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS
DESCRIPTION
Ø
Ø
Ø
Ø
Ø
Ø
2SB154100MA is a schottky barrier diode chips
fabricated in silicon epitaxial planar technology;
Low power losses, high efficiency;
High ESD capability;
High surge capability;
Guard ring construction for transient protection;
Packaged products are widely used in switching power
suppliers, polarity protection circuits and other electronic
circuits.
Chip Topography
ORDERING SPECIFICATIONS
Product Name
2SB154100MAYY
Specification
Top metal is Ag, for solder process;
Back metal is Ag, for solder process.
CHIP INFORMATION
Item
Wafer Size
Gross Die
Die Size(La)
Top Pad Size(Lb)
Wafer Thickness(Lc)
Top Metal / Thickness
Back Metal / Thickness
Passivation
Scribe Line Sign
Scribe Line Width
Characterization
5Inch
4,604dice/wafer
1540µm
1390µm
280±20µm
Ag:5µm
Ag:1.2µm
SiO2
12µm
50µm
HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS CO.,LTD
Http://www.silan.com.cn
REV:2.0
2010.03.18
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