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FB120M

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-222AA, GREEN, PLASTIC, MITE FLAT-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小191KB,共4页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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FB120M概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-222AA, GREEN, PLASTIC, MITE FLAT-2

FB120M规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称台湾光宝(LITEON)
零件包装代码DO-222AA
包装说明GREEN, PLASTIC, MITE FLAT-2
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.46 V
JEDEC-95代码DO-222AA
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压20 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层MATTE TIN
端子形式FLAT
端子位置DUAL
Base Number Matches1

FB120M文档预览

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FB120M~FB130M
SURFACE MOUNT
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
FEATURES
REVERSE VOLTAGE – 20 to 30 Volts
FORWARD CURRENT – 1.0 Ampere
Mite Flat
DO-222AA
DIM.
MIN.
MAX.
A
0.80
0.95
b
0.40
0.65
b2
0.70
1.00
C
0.10
0.25
D
1.75
2.05
E
3.60
3.90
E1
2.80
3.10
h
0.35
0.50
L
0.50
0.80
L1
2.10
2.60
L2
0.45
0.75
L3
0.20
0.50
All Dimension in millimeter
Very low profile package – 0.80mm
High efficiency
Extremely fast switching
Negligible switching losses
Low forward voltage drop, low power loss
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-222AA
Case Material: “Green” molding compound, UL
Terminals: Lead Free Plating (Matte Tin Finish.)
Reliability tested in accordance with AEC-Q101
Component in accordance to RoHs 2002/95/EC
flammability classification 94V-0, (No Br. Sb. Cl.)
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
°C
ambient temperature unless otherwise specified.
PARAMETER
Device marking code
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Average Rectified Output Current
@T
L
=105°C
SYMBOL
Note
V
RRM
V
DC
I
(AV)
I
FSM
T
J
T
STG
FB120M
B12
20
20
1.0
50
-55 to +125
-55 to +150
FB130M
B13
30
30
UNIT
---
V
V
A
A
°C
°C
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave
Operating junction temperature range
Storage temperature range
PARAMETER
Forward Voltage (1)
Leakage Current (1)
TEST CONDITIONS
IF=1.0A
VR=V
DC
Tj=25°C
Tj=25°C
Tj=85°C
SYMBOL
V
F
I
R
Max.
0.46
0.2
8.0
UNIT
V
mA
THERMAL CHARACTERISTIC
Typical junction capacitance (2)
Typical thermal resistance _ Junction to Case (3)
Typical thermal resistance _ Junction to Ambient (3)
Typical thermal resistance _ Junction to Lead (3)
SYMBOL
C
J
R
Θ
JC
R
Θ
JA
R
Θ
JL
Typical
140
50
125
40
UNIT
pF
°C/W
°C/W
°C/W
Note :
(1)
(2)
(3)
REV. 3, Apr-2013, KSHP02
300us Pulse width, 2% Duty cycle.
Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
Thermal Resistance test performed in accordance with JESD-51. Unit mounted on 0.75t glass-epoxy substrate with foot print
copper pad. R
Θ
JL
is measured at the lead
of cathode band,
R
Θ
JC
is measured at the top centre of body.
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