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BY399

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小49KB,共2页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
标准
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
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BY399概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

BY399规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称苏州固锝(Good-Ark)
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间1.2 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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BY396 THRU BY399
FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER
Reverse Voltage -
100 to 800 Volts
Forward Current -
3.0 Amperes
Features
Fast recovery diodes
Diffused junction
High surge capability
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
Terminals: Axial leads
Polarity: Color band denotes cathode
Mounting Instruction
Min. distance from body to soldering point, 4mm
Max. solder temperature, 350
Max. soldering time: 3.5 Sec.
Do not bend lead at a point closer than 3mm to the body
Weight: 0.042 ounce, 1.195 gram
DIM ENSIONS
DIM
A
B
C
D
inches
Min.
0.283
0.189
0.048
1.000
Max.
0.374
0.208
0.051
-
Min.
7.20
4.80
1.20
25.40
mm
Max.
9.50
5.30
1.30
-
Note
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Symbols
BY396
BY397
BY398
BY399
Units
Peak repetitive and non repetitive reverse voltage
Forward current, R load at T
amb
=50
8.3mS peak forward surge current at T
j
=25
Recurrent peak forward current (A)
Maximum forward voltage drop at I
F
=3.0A
Maximum reverse current at V
RRM
at 25
Maximum reverse recovery time (Note 1)
Maximum thermal resistance (I=10mm)
Operating and storage temperature range
Note:
(1) Reverse recovery test conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
=0.25A
V
RRM
I
(AV)
I
FSM
I
FRM
V
F
I
R
T
rr
R
JA
100
200
3.0
100.0
15.0
1.3
10.0
250
30.0
400
800
Volts
Amps
Amps
Amps
Volts
A
nS
/W
T
J
, T
STG
-65 to +125
1
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