Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Hitachi (Renesas ) |
包装说明 | O-LELF-R2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 0.8 V |
JESD-30 代码 | O-LELF-R2 |
最大非重复峰值正向电流 | 4 A |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
最大输出电流 | 0.15 A |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
认证状态 | Not Qualified |
最大反向电流 | 0.1 µA |
最大反向恢复时间 | 0.003 µs |
表面贴装 | YES |
端子形式 | WRAP AROUND |
端子位置 | END |
Base Number Matches | 1 |
HSK120TR | HSK120TL | |
---|---|---|
描述 | Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon | Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon |
厂商名称 | Hitachi (Renesas ) | Hitachi (Renesas ) |
包装说明 | O-LELF-R2 | O-LELF-R2 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
配置 | SINGLE | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 0.8 V | 0.8 V |
JESD-30 代码 | O-LELF-R2 | O-LELF-R2 |
最大非重复峰值正向电流 | 4 A | 4 A |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
最大输出电流 | 0.15 A | 0.15 A |
封装主体材料 | GLASS | GLASS |
封装形状 | ROUND | ROUND |
封装形式 | LONG FORM | LONG FORM |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
最大反向电流 | 0.1 µA | 0.1 µA |
最大反向恢复时间 | 0.003 µs | 0.003 µs |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | WRAP AROUND | WRAP AROUND |
端子位置 | END | END |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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