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HSK120TR

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小81KB,共2页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HSK120TR概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon

HSK120TR规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
包装说明O-LELF-R2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.8 V
JESD-30 代码O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流4 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大反向电流0.1 µA
最大反向恢复时间0.003 µs
表面贴装YES
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
Base Number Matches1

HSK120TR相似产品对比

HSK120TR HSK120TL
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
包装说明 O-LELF-R2 O-LELF-R2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.8 V 0.8 V
JESD-30 代码 O-LELF-R2 O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流 4 A 4 A
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C
最大输出电流 0.15 A 0.15 A
封装主体材料 GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大反向电流 0.1 µA 0.1 µA
最大反向恢复时间 0.003 µs 0.003 µs
表面贴装 YES YES
端子形式 WRAP AROUND WRAP AROUND
端子位置 END END
Base Number Matches 1 1

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