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1N4001_R2_00001

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41, HALOGEN FREE, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小75KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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1N4001_R2_00001概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41, HALOGEN FREE, PLASTIC PACKAGE-2

1N4001_R2_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明HALOGEN FREE, PLASTIC PACKAGE-2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压50 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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1N4001-1N4007
PLASTIC SILICON RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Low forward voltage drop
• High current capability
• High reliability
• High surge current capability
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
.205(5.2)
.160(4.1)
1.0(25.4)MIN.
.034(.86)
.028(.71)
50 to 1000 Volts
CURRENT
1.0 Amperes
DO-41
Unit: inch(mm)
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: DO-41 Molded plastic
• Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant.
• Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: Color band denotes cathode end
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.012 ounces, 0.30 gram
.107(2.7)
1.0(25.4)MIN.
.080(2.0)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load,derate current by 20%.
PA RA M E TE R
Ma xi m um Re c urre nt P e a k R e ve rs e Vo lta g e
Ma xi m um RM S Vo lta g e
Ma xi m um D C B lo c k i ng Vo lta g e
Ma xi m um A ve ra g e F o r wa rd C urr e nt .3 7 5 " ( 9 .5 m m )
le a d le ng th a t T
A
= 7 5
O
C
P e a k F o rwa r d S urg e C urre nt : 8 . 3 ms s i ng le ha lf s i ne -
wa ve s up e ri mp o s e d o n ra te d lo a d (J E D E C m e tho d )
Ma xi m um F o rwa r d Vo lta g e a t 1 . 0 A
Ma xi m um D C Re ve rs e C urr e nt a t Ra te d
D C B lo c k i ng Vo lta g e
Typ i c a l J unc ti o n C a p a c i ta nc e ( No te 1 )
T
J
= 2 5
O
C
T
J
= 1 0 0
O
C
S YM B OL
1 N4 0 0 1 1 N4 0 0 2 1 N4 0 0 3 1 N4 0 0 4 1 N4 0 0 5 1 N4 0 0 6 1 N4 0 0 7
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
R
θJ
A
R
θJ
C
R
θJ
L
T
J
,T
S TG
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1 .0
30
1 .1
5 .0
500
15
11 0
40
35
- 5 5 to + 1 5 0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
A
V
μ
A
pF
Typ i c a l The r ma l Re s i s t a nc e (No t e 2 )
O
C / W
Op e r a ti ng J unc ti o n a nd S t o ra g e Te m p e ra t ure Ra ng e
O
C
NOTES:
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
2. Thermal Resistance from Junction to Ambient and from junction to lead at 0.375”(9.5mm)lead length P.C.B.mounted.
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