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CFH800T

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, PLASTIC, TSFP-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小2MB,共9页
制造商Qorvo
官网地址https://www.qorvo.com
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CFH800T概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, PLASTIC, TSFP-4

CFH800T规格参数

参数名称属性值
厂商名称Qorvo
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压5.5 V
最大漏极电流 (ID)0.16 A
FET 技术HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带S BAND
JESD-30 代码R-PDSO-F4
JESD-609代码e4
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层GOLD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches1

CFH800T相似产品对比

CFH800T
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, PLASTIC, TSFP-4
厂商名称 Qorvo
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
其他特性 LOW NOISE
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 5.5 V
最大漏极电流 (ID) 0.16 A
FET 技术 HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带 S BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-F4
JESD-609代码 e4
元件数量 1
端子数量 4
工作模式 DEPLETION MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 GOLD
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches 1

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