GMZ10CT/R7,GMZ10CT/R7 pdf中文资料,GMZ10CT/R7引脚图,GMZ10CT/R7电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> GMZ10CT/R7

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GMZ10CT/R7: 产品描述Zener Diode, 9.95V V(Z), 2.51%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, GLASS, MICROMELF-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小135KB，共6页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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GMZ10CT/R7概述

Zener Diode, 9.95V V(Z), 2.51%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, GLASS, MICROMELF-2

GMZ10CT/R7规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
零件包装代码	MELF
包装说明	O-LELF-R2
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	ZENER DIODE
最大动态阻抗	8 Ω
JESD-30 代码	O-LELF-R2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.5 W
认证状态	Not Qualified
标称参考电压	9.95 V
表面贴装	YES
技术	ZENER
端子形式	WRAP AROUND
端子位置	END
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
最大电压容差	2.51%
工作测试电流	20 mA
Base Number Matches	1

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GMZ2.0~GMZ56

SURFACE MOUNT ZENER DIODES

VOLTAGE

2.0 to 56 Volts

POWER

500 mWatts

FEATURES

• Planar Die construction

• 500mW Power Dissipation

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives

0.043(1.1)

MECHANICAL DATA

• Case: Molded Glass MICRO-MELF

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Approx. Weight: 0.01 grams.

• Mounting Position: Any

• Polarity : Color band denotes cathode end

• Packing information

T/R - 2.5K per 7" plastic Reel

0.008(0.2)

0.008(0.2)

0.079(2.0)

0.071(1.8)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Power Dissipation at T

A

= 25

O

C

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Symbol

Value

500

175

-65 to + 175

Units

mW

O

P

TOT

T

J

T

STG

C

C

O

Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.

Parameter

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Forward Voltage at I

F

= 100mA

Symbol

Min.

--

--

Typ.

Max.

0.3

1

o

Units

C/mW

V

R

Θ

JA

V

F

--

--

Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.

March 21,2012-REV.03

0.048(1.2)DIA.

0.040(1.0)

PAGE . 1

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