Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to KA Band, 1pF C(T), 30V, Gallium Arsenide, Abrupt
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | e2v technologies |
包装说明 | O-XEMW-F2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最小击穿电压 | 30 V |
配置 | SINGLE |
二极管电容容差 | 20% |
最小二极管电容比 | 2.6 |
标称二极管电容 | 1 pF |
二极管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE |
二极管类型 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
频带 | VERY HIGH FREQUENCY TO KA BAND |
JESD-30 代码 | O-XEMW-F2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | MICROWAVE |
认证状态 | Not Qualified |
最小质量因数 | 9500 |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | END |
变容二极管分类 | ABRUPT |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved