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BAV99STB6T/R13

产品描述Rectifier Diode, 2 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小109KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BAV99STB6T/R13概述

Rectifier Diode, 2 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6

BAV99STB6T/R13规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置2 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F6
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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BAV99STB6
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
VOLTAGE
FEATURES
• Fast switching speed.
• Surface mount package Ideally Suited for Automatic insertion
• High Conductance
0.052(1.30)
0.043(1.10)
0.067(1.70)
0.059(1.50)
100 Volts
POWER
200m Watts
SOT-563
0.011(0.27)
0.006(0.17)
Unit
inch(mm)
0.044(1.10)
0.035(0.90)
0.067(1.70)
0.059(1.50)
0.024(0.60)
0.019(0.50)
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-563, Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Weight: approximately
0.0001 ounces,
0.0026 grams
• Marking : TC
0.007(0.17)
0.002(0.07)
0.012(0.30)
0.004(0.10)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
O
C ambient temperature unless otherwise specified. For capacitive load, derate current by 20%.
PARAMETER
Reverse Voltage
Peak Reverse Voltage
Rectified Current (Average),Half Wave Rectification With Resistive
Load and f>50Hz
Peak Forward Surge Current, 1.0
µs
Power Dissipation Derate Above 25
O
C
SYMBOL
V
R
V
RM
I
O
I
FS M
P
TOT
V
F
I
R
C
J
T
RR
R
θ
JA
T
J
BAV99STB6
75
100
150
4.0
200
0.715@I
F
=0.001A
0.855@I
F
=0.01A
1.0@I
F
=0.05A
1.25@I
F
=0.15A
0.03
2.5
1.5
4.0
625
-55 to +150
UNITS
V
V
mA
A
mW
Maximum Forward Voltage
Maximum DC Reverse Current at 25V
75V
Maximum Junction Capacitance (0V,f=1.0MHz)
Maximum Reverse Recovery Time
Typical Thermal Resistance
Junction Temperature Range
V
µA
pF
ns
O
C/W
O
C
REV.0.1-JAN.20.2009
PAGE . 1
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