电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BZX55C30B-35T/B

产品描述Zener Diode, 30V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小74KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档 详细参数 全文预览

BZX55C30B-35T/B概述

Zener Diode, 30V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2

BZX55C30B-35T/B规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-35
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗80 Ω
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压30 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差2%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1

BZX55C30B-35T/B文档预览

下载PDF文档
BZX55C2V4~BZX55C100
AXIAL LEAD ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 100 Volts
POWER
500 mWatts
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: Molded glass DO-35
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.13 grams
• Mounting Position: Any
• Ordering information: Suffix :” -35” to order DO-35 Package
• Packing information
B
- 2K per Bulk box
T/R - 10K per 13" plastic Reel
T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
=25°C unless otherwise noted)
Parameter
Power Dissipation at Tamb = 25
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Valid provided that leads at a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature.
O
Symbol
3.0
Value
500
175
-65 to +175
Units
mW
O
C
P
TOT
T
J
T
s
C
C
O
Parameter
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Forward Voltage at I
F
= 100mA
Symbol
Min.
--
--
Typ.
Max.
0.3
1
Units
K/mW
V
R
θ
JA
V
F
--
--
Valid provided that leads at a distance of 10 mm from case are kept at ambient temperature.
STAD-FEB.10.2009
1
PAGE . 1
电源环路稳定性评价方法
一、环路稳定性评价指标 衡量开关电源稳定性的指标是相位裕度和增益裕度。同时穿越频率,也应作为一个参考指标。 (1) 相位裕度是指:增益降到0dB时所对应的相位。 (2) 增益裕度是指:相 ......
qwqwqw2088 模拟与混合信号
向高手真诚提问:关于AT91SAM7X256 开发的问题
那位高手能给我一个在IAR平台开发的基于AT91SAM7X256 的串口通信程序?我刚开始接触,很不了解,代码越简单越好, 我已有开发板,但是没有程序参考,请高手帮帮忙,不胜感激!!!!!! 请把 ......
saber_tooth 嵌入式系统
电容降压
一个1uf的电容,在两端加上频率为50Hz的市电,则电容产生的容抗为*1000000=3184欧,若将220V交流电压直接加至电容两端,产生的电流最大约为70mA.虽然流过电容的电流有70mA,但在电容器上并不产 ......
Aguilera 能源基础设施
基于LM2577的升压式开关电源实例解析
LM2577系列是NSC公司生产的升压式开关稳压器,输出电压分别为12V,15V及可调式(ADJ)L输入电压范围宽,最低输入电压为+3.5V,最高输入电压为+40V。最大占空比可达95%,转换效率为80%。 由L ......
木犯001号 模拟与混合信号
性价比超高的STM3210E开发板
EM-STM3210E是英蓓特公司新推出的一款基于ST意法半导体STM32系列处理器(Cortex-M3内核)的全功能评估板。功能接口丰富,是一个用于应用开发很好的平台,也是学习者的首选。配合本公司的调试工具U ......
ye0217 stm32/stm8
请教2013年射频宽带放大器第二级程控放大VCA821的问题
请问有大神在吗?我们在准备15年电设,做2013年的真题,参考了前年拿了国一的方案。 在做第二级中间程控放大电路的时候用到VCA821芯片,一直都没有调出来。芯片容易发烫,输入10~100mVrms,1 ......
lauren 电子竞赛
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved