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BZM55-C9V1T/R7

产品描述Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, GLASS, MICROMELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小103KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BZM55-C9V1T/R7概述

Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, GLASS, MICROMELF-2

BZM55-C9V1T/R7规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码MELF
包装说明O-LELF-R2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压9.1 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
Base Number Matches1

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BZM55-C2V4 SERIES
SURFACE MOUNT ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 100 Volts
POWER
500 mWatts
MICRO-MELF
Unit : inch (mm)
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
.040(1.0)
.048(1.2)DIA.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass MICRO-MELF
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.011 grams
• Mounting Position: Any
• Packing information
T/R - 2.5K per 7" plastic Reel
.079(2.0)
.071(1.8)
.043(1.1)
.008(0.2)
.008(0.2)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Power Dissipation at Tamb = 25
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Valid provided that leads at a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature.
O
Symbol
Value
500
175
-65 to +175
Units
mW
O
C
P
TOT
T
J
T
S
C
C
O
Parameter
Thermal Resi stance Juncti on to Ambi ent Ai r
Forward Voltage at I
F
= 200mA
Symbol
R
θ
JA
V
F
Min.
--
--
Typ.
--
--
Max.
0.3
1.5
Uni ts
K/mW
V
Vali d provi ded that leads at a di stance of 8mm from case are kept at ambi ent temperature.
STAD-DEC.18.2008
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