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KTA2014-4

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小738KB,共1页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

下载文档 详细参数 全文预览

KTA2014-4概述

Transistor

KTA2014-4规格参数

参数名称属性值
厂商名称长电科技(JCET)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.15 A
基于收集器的最大容量7 pF
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值0.1 W
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)80 MHz
VCEsat-Max0.3 V
Base Number Matches1

KTA2014-4文档预览

下载PDF文档
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors
SOT-323
KTA2014
TRANSISTOR (PNP)
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
FEATURES
Low frequency power amplifier application
Power switching application
MAXIMUM RATINGS (T
a
=25
unless otherwise noted)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C*
T
J
T
stg
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current –Continuous
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
-50
-50
-5
150
100
150
-55-150
Unit
V
V
V
mA
mW
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
a
=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off
Emitter
cut-off
current
current
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
f
T
C
ob
NF
Test conditions
I
C
=- 0.1mA,
I
E
=0
Min
-50
-50
-5
-0.1
-0.1
70
400
-0.3
80
7
10
V
MHz
pF
dB
Typ
Max
Unit
V
V
V
μA
μA
I
C
= -1mA, I
B
=0
I
E
=-0.1mA, I
C
=0
V
CB
=-50V, I
E
=0
V
EB
= -5V, I
C
=0
V
CE
=-6V,I
C
=-2mA
I
C
=-100mA, I
B
= -10mA
V
CE
=-10V, I
C
=-1mA,
V
CB
=-10V, I
E
=0
f=1MHz
V
CE
=-6V, I
C
=-0.1mA
f=1KHz,Rg=10KΩ
DC current
gain
Collector-emitter saturation voltage
Transition
frequency
Collector output capacitance
Noise Figure
CLASSIFICATION OF h
FE
Rank
Range
MARKING
O(2)
70-140
SO
Y(4)
120-240
SY
GR(6)
200-400
SG
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