电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

3DD13005ND66B1

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小905KB,共1页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

下载文档 详细参数 全文预览

3DD13005ND66B1概述

Transistor

3DD13005ND66B1规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Base Number Matches1

3DD13005ND66B1文档预览

下载PDF文档
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-220 Plastic-Encapsulate Transistors
3DD13005ND66
TRANSISTOR (NPN)
TO-220
FEATURES
Power switching applications
Good high temperature
Low saturation voltage
High speed switching
Symb
ol
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
123
MAXIMUM RATINGS (T
a
=25℃ unless otherwise noted)
Parameter
Value
Unit
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
700
420
9
4
2
62.5
150
-55~150
V
V
V
A
W
℃/W
P
C
Collector Power Dissipation
R
θJA
Thermal Resistance from Junction to Ambient
T
j
T
stg
Junction Temperature
Storage Temperature
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
a
=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
h
FE(3)
h
FE(4)
V
CE(sat)(1)
V
CE(sat)(2)
V
CE(sat)(3)
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Rise time
Storage time
Fall time
V
BE(sat)
Test conditions
I
C
=1mA,I
E
=0
I
C
=10mA,I
B
=0
I
E
=1mA,I
C
=0
V
CB
=700V,I
E
=0
V
CE
=400V,I
B
=0
V
EB
=7V,I
C
=0
V
CE
=5V, I
C
=1A
V
CE
=5V, I
C
=200mA
V
CE
=5V, I
C
=10mA
V
CE
=5V, I
C
=4A
I
C
=1A,I
B
=0.2A
I
C
=4A,I
B
=1A
I
C
=2A,I
B
=0.4A
I
C
=2A,I
B
=0.5A
V
CE
=10V, I
C
=0.5A,f=1MHz
I
C
=250mA
I
C
=250mA
I
C
=250mA
20-25
2.8
A
B
0.15
0.25
5
0.5
4.2
0.5
25-30
μs
10
20
5
8
Min
700
420
9
0.1
0.1
0.1
40
30
40
0.3
0.8
0.28
0.35
1.6
V
V
V
V
V
MHz
Typ
Max
Unit
V
V
V
mA
mA
mA
Collector-emitter saturation voltage
f
T
t
r
t
S
t
f
CLASSIFICATION OF h
FE(2)
Range
CLASSIFICATION OF t
s
Rank
Range
B1
2.8-3.5(μs)
B2
3.5-4.2(μs)
A,Mar,2011
本文介绍目前性价比最高的先进锂电池充电管理芯片CN3052/CN3056
1 引言 CN305X系列是美国硅谷留学回来创办的半导体公司生产的先进锂电池充电管理芯片,CN305X系列芯片适合单节(4.1V或4.2V)和锂聚合物(Li-Pol)电池的充电需要,同时根据不同的应用提供了SOP和M ......
yongzhi 电源技术
50高分求助:CE软件盘为何无法输入
自己编写了一个软键盘,在模拟器上可以输入,可拿到2440板子上就不行了,不知是什么原因,下面是源代码,请高手帮我看看: HWND m_hFocus; CKeyboardDlg *pCharKeyboardDlg; CNumKeybo ......
huttu 嵌入式系统
【国民技术N32G457评测】 RT_Thread Studio SPI 填坑
本帖最后由 lugl4313820 于 2022-2-7 19:30 编辑 上午解决了NSS不能拉低的问题: 查看了drv_spi.c的配置函数: 结合调试的数据: 586877发现CLKPOL为2,而我传进去的参数是: cf ......
lugl4313820 国产芯片交流
边界扫描测试软件
请问,哪里能搞到边界扫描测试的软件,例如Scanworks,或者牛逼的大神自己写的软件啊??{:1_139:} ...
aiwings 测试/测量
现在做数字电源用什么IC好噢?
大家好!现在做数字电源用什么IC好噢?Ti又出了个UCD3138,可惜里面的原理图都看不清楚。...
pin0208 DIY/开源硬件专区
提供一个下载期刊论文的资源
http://qbs.hznet.com.cn/bbs/ 1.杭州IP的直接进就可以了; 2.非杭州IP的用户请搜索一个可用的杭州代理IP,然后进去下载。...
lhx654321 测试/测量
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved