Insulated Gate Bipolar Transistor, 19A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | compliant |
其他特性 | ULTRAFAST |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 19 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最大降落时间(tf) | 640 ns |
门极发射器阈值电压最大值 | 5.5 V |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JEDEC-95代码 | TO-247AC |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 160 W |
最大功率耗散 (Abs) | 160 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
VCEsat-Max | 3.5 V |
Base Number Matches | 1 |
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