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IRGPH40KD2

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 19A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小184KB,共9页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRGPH40KD2概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 19A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC

IRGPH40KD2规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性ULTRAFAST
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)19 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf)640 ns
门极发射器阈值电压最大值5.5 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-247AC
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)225
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值160 W
最大功率耗散 (Abs)160 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max3.5 V
Base Number Matches1

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