Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 3DA752O(TO-252-2L)

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3DA752O(TO-252-2L): 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小81KB，共2页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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3DA752O(TO-252-2L)概述

Transistor

3DA752O(TO-252-2L)规格参数

参数名称	属性值
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
Base Number Matches	1

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-251/TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors

3DA752

FEATURES

Power dissipation

TRANSISTOR (NPN)

TO-251

TO-252-2L

123

1.BASE

MAXIMUM RATINGS (T

=25

℃

unless otherwise noted)

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector power dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Value

1.2

150

-55-150

Units

℃

2.COLLECTOR

3.EMITTER

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25

℃

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

Symbol

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

CBO

EBO

CE(sat)1

Collector-emitter saturation voltage

CE(sat)2

Transition frequency

Collector output capacitance

unless otherwise specified)

conditions

MIN

0.1

100

400

0.8

120

MHz

TYP

MAX

UNIT

µA

Test

=100µA,I

=10mA,I

=1mA,I

=40V,I

=5V,I

=2V,I

=500mA

=2A,I

=0.2A

=1.5A,I

=30mA

=5V,I

=500mA

=10V,I

=0,f=1MHz

CLASSIFICATION OF

Rank

Range

Marking

100-200

160-320

200-400

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六西格玛新特点及软件的趋势

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无线半导体市场接连受挫回2003-2004年

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分析：台湾芯片制造商面临考验

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欧亚四大半导体大厂上季续亏本季展望乐观

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二季度IC厂商排名剧烈动荡，AMD跌出前十

据市场调研公司ICInsights，第二季度芯片销售反弹，导致整体IC厂商排名出现重大变化。据ICInsights，按第二季度销售额，IC销售额排名上升的厂商包括海力士半导体、联发科与台积电。排名下降的厂商包括AMD、飞思卡尔与富士通。英特尔(Intel)仍然是头号IC供应商，下面依次是三星电子(Samsung)、东芝(Toshiba)与德州仪器(TI)。台积电(T...[详细]
浪潮“抄底”奇梦达，8月中旬宣布收购消息

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东芝推出32纳米工艺闪存芯片 7月批量生产

东芝日前展示了基于32纳米制造工艺的单芯片32GbNANDFlash闪存芯片。首批32Gb芯片将主要被应用于记忆卡和USB存储设备，未来会扩展到嵌入式产品领域。随着越来越多的移动设备在声音和影像方面的逐步数字化，高容量、更小巧的内存产品在市场上的需求也越来越强劲。新的芯片产品将在东芝位于日本三重县四日市的工厂内制造。东芝公司将比原计划提前2个月，从2009年7月起，大批...[详细]

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