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UF3G_R1_00001

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小75KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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UF3G_R1_00001概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN

UF3G_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明SMC, 2 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向电流1 µA
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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UF3A~UF3J
SURFACE MOUNT ULTRAFAST RECTIFIER
VOLTAGE
50 to 600 Volts
CURRENT
3 Amperes
FEATURES
0.128(3.25)
0.108(2.75)
0.245(6.22)
0.220(5.59)
0.280(7.11)
0.260(6.60)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
0.103(2.62)
0.079(2.00)
0.050(1.27)
0.030(0.76)
0.320(8.13)
0.305(7.75)
0.008(0.203)
0.002(0.051)
For surface mounted applications in order to optimize board space
Easy pick and place
Ultrafast recovery times for high efficiency
Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
• Glass passivated junction
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-214AB molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Standard packaging: 16mm tape (EIA-481)
Weight: 0.0082 ounce, 0.2325 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re curre nt P e a k Re ve rse Vo lta g e
Ma xi mum RMS Vo lta g e
Ma xi mum D C B lo ck i ng Vo lta g e
Ma xi mum A ve ra g e F o rwa rd C urre nt
P e a k F o rwa rd S urg e C urre nt : 8 .3 ms s i ng le ha lf s i ne -wa ve
sup e ri mp o s e d o n ra te d lo a d
Ma xi mum F o rwa rd Vo lta g e a t 3 A
T
J
=2 5
O
C
T
J
=1 2 5
O
C
S YMB OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
R
J
L
t
rr
T
J
,T
S TG
UF 3 A
50
35
50
UF 3 B
100
70
100
UF 3 D
200
140
200
3
100
UF 3 G
400
280
400
UF 3 J
600
420
600
UNITS
V
V
V
A
A
1
1
300
75
15
50
-5 5 to +1 5 0
1 .3
1 .7
V
A
Ma xi mum D C Re ve rse C urre nt a t Ra te d D C B lo c k i ng Vo lta g e
Typ i ca l Juncti o n C a p a ci ta nc e (No te 2 )
Typ i ca l The rm a l Re si s ta nc e (No te 3 )
Ma xi mum Re ve rs e Re c o ve ry Ti me (No te 1 )
Op e ra ti ng Juncti o n a nd S to ra g e Te mp e ra ture Ra ng e
63
O
pF
C / W
ns
O
100
C
NOTES:1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A
2. Measured at 1 MHz and applied V
r
= 4 volts.
3. 8 mm
2
( 0.013mm thick ) land areas.
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PAGE . 1
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