Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> KBU8B

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KBU8B: 产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 6A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, KBU, 4 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小172KB，共2页; 制造商苏州固锝(Good-Ark); 标准; 苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商，从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术，形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列，1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料，研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。

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KBU8B概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 6A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, KBU, 4 PIN

KBU8B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	苏州固锝(Good-Ark)
包装说明	R-PSFM-W4
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最小击穿电压	100 V
外壳连接	ISOLATED
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
JESD-30 代码	R-PSFM-W4
最大非重复峰值正向电流	200 A
元件数量	4
相数	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	6 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压	100 V
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	SINGLE
Base Number Matches	1

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KBU4,6,8/RS6 SERIES

SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE

Reverse Voltage -

50 to 1000 Volts

Forward Current -

4.0/6.0/8.0 Amperes

Features

Ideal for printed circuit board

Reliable low cost construction utilizing molded

plastic technique

Plastic material has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

Surge overload rating: 200 amperes peak

Mounting Position: Any

Mounting Torgue: 5 ln. Ib. max.

D IM E N S IO N S

D IM

in c h e s

M in .

1 .0

0 .8 9 5

0 .2 6 0

0 .1 6 5

0 .1 4 0

0 .0 6 5

0 .6 6 0

0 .4 0 5

0 .1 8 0

0 .1 8 5

0 .0 4 8

M ax.

0 .7 6 0

0 .9 3 5

0 .2 8 0

0 .1 8 5

0 .1 6 0

0 .0 8 5

0 .7 0 0

0 .4 5 5

0 .2 6 0

0 .2 2 0

0 .2 0 5

0 .0 5 2

M in .

2 5 .4

2 2 .7

6 .6

4 .2

3 .6

1 .7

1 6 .8

1 0 .3

4 .5

4 .6

4 .7

1 .2

M ax.

1 9 .3

2 3 .7

7 .1

4 .7

4 .1

2 .2

1 7 .8

11 .3

6 .6

5 .6

5 .2

1 .3

N o te

0 .0 7 5 ( 1 .9 ) R . T y p . ( 2 P la c e s )

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.

For capacitive load, derate current by 20%.

Symbols

KBU4A

KBU6A

KBU8A

RS601

KBU4B

KBU6B

KBU8B

RS602

KBU4D

KBU6D

KBU8D

RS603

KBU4G

KBU6G

KBU8G

RS604

KBU4J

KBU6J

KBU8J

RS605

KBU4K

KBU6K

KBU8K

RS606

KBU4M

KBU6M

KBU8M

RS607

Units

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS bridge input voltage

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward

rectified output current at

=100

=65 /40

/45

RRM

RMS

(AV)

FSM

, T

STG

100

4.0

200.0

200

140

200

400

280

400

6.0

250.0

600

420

600

800

560

800

8.0

6.0

300.0

1000

700

1000

Volts

Amps

Peak forward surge current, 8.3mS single half sine-wave

superimposed on rated load

(MIL-STD-750 method 4066)

Maximum instantanous forward Voltage drop per

element at 3.0A/3.0A/8.0A

Maximum DC reverse leakage at rated

DC blocking voltage per element

Operating and storage temperature range

=25

=100

KBU4

1.0

10.0

100.0

KBU6

RS6

KBU8

1.0

10.0

200.0

-65 to +150

1.0

10.0

300.0

Volt

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