电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BZQ55-C36AT/R7

产品描述Zener Diode, 36V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, GLASS, QUADROMELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小103KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档 详细参数 全文预览

BZQ55-C36AT/R7概述

Zener Diode, 36V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, GLASS, QUADROMELF-2

BZQ55-C36AT/R7规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码MELF
包装说明O-LELF-R2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压36 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差1%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1

BZQ55-C36AT/R7文档预览

下载PDF文档
BZQ55-C2V4 SERIES
SURFACE MOUNT ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 100 Volts
POWER
500 mWatts
QUADRO-MELF
Unit : inch (mm)
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
.0
67
.7
(1
)
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass QUADRO-MELF
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.008 grams
• Mounting Position: Any
• Packing information
T/R - 2.5K per 7" plastic Reel
.020(0.5)
.012(0.3)
.146(3.7)
.130(3.3)
.020(0.5)
.012(0.3)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Power Dissipation at Tamb = 25
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Valid provided that leads at a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature.
O
Symbol
Value
500
175
-65 to +175
Units
mW
O
C
P
TOT
T
J
T
S
C
C
O
Parameter
Thermal Resi stance Juncti on to Ambi ent Ai r
Forward Voltage at I
F
= 200mA
Symbol
Min.
Typ.
Max.
0.3
1.5
Uni ts
K/mW
V
R
θJA
V
F
--
--
--
--
Vali d provi ded that leads at a di stance of 8mm from case are kept at ambi ent temperature.
STAD-JAN.21.2009
1
.063(1.6)
.055(1.4)DIA.
PAGE . 1
关于ndis开发使用类似于FOPEN??
是不是NDIS编程是用不了fopen的?? 想把一个txt文档读入数组进行预处理,所以需要使用到fopen,我#include "stdio.h"后link时提示: xpassthru.obj : error LNK2019: unresolved external sy ......
wwbinghai 嵌入式系统
EEPROM在电池耗完电的情况下,存储的数据会不会丢失
EEPROM在电池耗完电的情况下,存储的数据会不会丢失 ...
QWE4562009 单片机
WINCE 关于插入U盘显示HARD DIASK
见上,,我改注册表了为什么还是不行呢...
ahongye 嵌入式系统
TMS320F28335串口烧写Flash
串口烧写Flash: 第一步: 下载hex2000,使用hex2000将ccs编译得到的.out文件转换为.hex文件; 将ccs编译得到的hex文件拷贝至到hex2000目录下; 开始——运行—— ......
fish001 微控制器 MCU
AVR系列单片机C语言编程与应用实例
讲述AVR单片机C语言的书...
ptwang Microchip MCU
年关将至,游戏商人出没,大家谨慎
所谓游戏商人,就是表面上提供给你娱乐的游戏,实际上就是圈你钱的家伙。 也许各位电工都不是好游戏之徒,不过亲友里总会有这样的人的,大家互相提醒吧。 典型的莫过于弄一个爬行榜,榜首 ......
sjtitr 聊聊、笑笑、闹闹
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved