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BAT54CDWT/R13

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 4 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小84KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BAT54CDWT/R13概述

Rectifier Diode, Schottky, 4 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6

BAT54CDWT/R13规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
配置2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.24 V
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量4
端子数量6
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.225 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流2 µA
反向测试电压25 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

BAT54CDWT/R13文档预览

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BAT54TW / ADW / CDW / SDW / DW
SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODE ARRAYS
VOLTAGE
FEATURES
Isolated diode arrays for significant board space savings
Surface mount package ideally suited for automatic insertion
Extremely Fast Switching Speed
Very Low VF: 0.347V (Typ) at IF = 10mA
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.054(1.35)
0.045(1.15)
0.087(2.20)
0.074(1.90)
0.010(0.25)
30 Volts
POWER
225mWatts
0.018(0.45)
0.006(0.15)
0.010(0.25)
0.003(0.08)
0.087(2.20)
0.078(2.00)
0.056(1.40)
0.047(1.20)
• Case: SOT-363 plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.0002 ounce, 0.006 gram
0.040(1.00)
0.031(0.80)
0.044(1.10)
MAX.
MECHANICAL DATA
0.030(0.75)
0.021(0.55)
0.012(0.30)
0.005(0.15)
ABSOLUTE RATINGS (each diode)
Parameter
Marking Code
Maximum Reverse Voltage
Peak Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Circuit Figure
Symbol
-
V
R
V
RRM
I
F
-
Fig 50
Fig 46
BAT54TW
L4
BAT54ADW
L42
BAT54CDW
L43
30
30
0.2
Fig 47
Fig 45
Fig 107
BAT54SDW
L44
BAT54DW
L41
Units
-
V
V
A
-
THERMAL CHARACTERISTICS
Parameter
Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)
Thermal Resistance, Junction to Lead
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
P
TOT
JA
JL
T
J
T
STG
Value
225
550
220
-55 to 125
-55 to 150
Units
mW
O
C/W
C/W
O
O
C
C
O
NOTE:
1. FR-4 Board Minimum pad.
Fig50
Fig46
Fig47
Fig45
Fig107
February 14,2011-REV.03
PAGE . 1
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