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SES3V3D882-2B

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 3.3V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小294KB,共3页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
标准
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
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SES3V3D882-2B概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 3.3V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

SES3V3D882-2B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称苏州固锝(Good-Ark)
包装说明R-PBCC-N2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最小击穿电压5 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PBCC-N2
最大非重复峰值反向功率耗散150 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压3.3 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

SES3V3D882-2B文档预览

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SES3V3D882-2B
ESD Protection Diode
Features
150 Watts peak pulse power (tp = 8/20μs)
SOD-882 package
Bidirectional configurations
Protects one I/O port
Low clamping voltage
Low Leakage current
ESD-immunity acc. IEC 61000-4-2 ±8KV contact
±15KV air
IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)
SOD-882
Applications
Cell Phones
Notebooks
Digital Cameras
Portable Instrumentation
Audio and video equipment
Schematic Diagram
Absolute Maximum Ratings
(T
A
=25°C
unless
otherwise specified)
Parameter
Peak Pulse Power (T
P
=8/20μS)
Peak Pulse Current ( t
P
= 8/20μS )
Junction Temperature
Storage temperature
Symbol
P
PP
I
PP
T
J
T
STG
Value
150
11.2
-55 to +125
-55 to +150
Unit
W
A
°C
°C
Electrical Characteristics
(T
A
=25°C
unless
otherwise specified)
Parameter
Reverse stand-off Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage
Junction Capacitance
Symbol
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
V
C
C
J
Condition
-
I
T
=1mA
V
R
=3.3V
I
PP
=5A,T
P
=8/20μS
I
PP
=11.2A,T
P
=8/20μS
V
R
=0V,f=1MHz
1/3
Min
-
5.0
-
-
-
-
Typ
-
-
-
-
-
25
Max
3.3
-
1
8.4
14.1
-
Unit
V
V
μA
V
V
pF
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