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BAV70FN3_R1_00001

产品描述Rectifier Diode, 2 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DFN-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小208KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BAV70FN3_R1_00001概述

Rectifier Diode, 2 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DFN-3

BAV70FN3_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PBCC-N3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PBCC-N3
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.25 W
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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BAV70FN3
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
VOLTAGE
FEATURES
• Surface mount package Ideally Suited for Automatic insertion
• Electrically Identical to Standard JEDEC
• High Conductance
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.022(0.55)
0.017(0.45)
0.026(0.65)
0.022(0.55)
100Volts
POWER
250mWatts
DFN 3L
0.042(1.05)
0.037(0.95)
Unit
inch(mm)
• Fast switching speed.
• Lead
free in comply with EU RoHS
2011/65/EU
directives.
0.002(0.05)MAX.
MECHANICAL DATA
Case : DFN 3L, Plastic
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
COMMON CATHODE
0.013(0.32)
0.009(0.22)
0.014(0.36)
0.013(0.32)
0.009(0.22)
0.008(0.20)
0.004(0.10)
0.022(0.55)
0.017(0.45)
0.014(0.36)
3
2
1
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
O
C ambient temperature unless otherwise specified. For capacitive load, derate current by 20%.
PA RA M E TE R
M a r k i ng C o d e
Re ve r s e Vo lta g e
P e a k Re ve rs e Vo lta g e
Re c ti fi e d C ur re nt ( A ve r a g e ) , Ha lf Wa ve
Re c ti fi c a ti o n wi th Re s i s ti ve L o a d a nd f >= 5 0 Hz
P e a k F o r wa r d S ur g e C ur r e nt,1 .0 us
P o we r D i s s i p a ti o n D e r a te A b o ve 2 5
O
C
Ma xi mum F o rwa rd Vo lta g e
Ma xi mum D C Re ve r s e C ur r e nt a t 2 5 V
75V
Ma xi mum J unc ti o n C a p a c i ta nc e ( No te s 1 )
M a xi m um Re ve r s e Re c o ve ry Ti m e ( No te s 2 )
Typ i c a l Ma xi mum The r ma l Re s i s ta nc e
J unc ti o n Te m p e r a tur e Ra ng e
S i ng le D i o d e
D o ub le
Diode
V
R
V
RM
I
O
I
F S M
P
D
V
F
S YMB OL
B AV 7 0 F N3
AB
75
100
150
75
4 .0
250
0 .7 1 5 @ IF = 0 .0 0 1 A
0 .8 5 5 @ IF = 0 .0 1 A
1 .0 @ IF = 0 .0 5 A
1 .2 5 @ IF = 0 .1 5 A
0 .0 3
2 .5
1 .5
4 .0
500
- 5 5 to +1 5 0
O
0.008(0.20)
0.004(0.10)
UNITS
V
V
mA
A
mW
V
I
R
C
J
T
RR
R
J A
T
J
A
pF
ns
C / W
O
C
NOTE:
1. CJ at V
R
=0, f=1MHZ
2.From I
F
=10mA to I
R
=1mA, V
R
=6Volts, R
L
=100
PAN JIT RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE
REV.0.3-JUL.15.2009
PAGE . 1
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