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PTFA092201FV1

产品描述RF MOSFET Transistors RFP-LDMOS GOLDMOS 8
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小7MB,共12页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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PTFA092201FV1概述

RF MOSFET Transistors RFP-LDMOS GOLDMOS 8

PTFA092201FV1规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
RF MOSFET Transistors
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
RoHSDetails
Transistor PolarityN-Channel
Id - Continuous Drain Current1.85 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage65 V
技术
Technology
Si
Gain18.5 dB
Output Power55 W
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
H-37260-2
系列
Packaging
Tray
ConfigurationSingle
Operating Frequency920 MHz to 960 MHz
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
700 W
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
40
类型
Type
RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage12 V

PTFA092201FV1相似产品对比

PTFA092201FV1 PTFA092201F-V4-R250
描述 RF MOSFET Transistors RFP-LDMOS GOLDMOS 8 RF MOSFET Transistors Hi Pwr RF LDMOS FET 220 W 920-960 MHZ
产品种类
Product Category
RF MOSFET Transistors RF MOSFET Transistors
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
RoHS Details Details
Transistor Polarity N-Channel N-Channel
Id - Continuous Drain Current 1.85 A 1.85 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 65 V 65 V
技术
Technology
Si Si
Gain 18.5 dB 18.5 dB
Output Power 55 W 55 W
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C + 150 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
H-37260-2 H-37260-2
Configuration Single Single
Operating Frequency 920 MHz to 960 MHz 920 MHz to 960 MHz
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
700 W 700 W
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
40 250
类型
Type
RF Power MOSFET RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage 12 V 12 V
系列
Packaging
Tray Reel

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