MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 零件包装代码 | D2PAK |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | ULTRA LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas） | 125 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 80 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 80 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0054 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-263AB |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 88 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 320 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| IPB80N04S3-06 | IPP80N04S306AKSA1 | IPI80N04S306AKSA1 | IPB80N04S306ATMA1 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T | MOSFET N-CHANNEL_30/40V | MOSFET N-CHANNEL_30/40V | MOSFET N-CHANNEL_30/40V |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | ULTRA LOW RESISTANCE | ULTRA LOW RESISTANCE | ULTRA LOW RESISTANCE | ULTRA LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas） | 125 mJ | 125 mJ | 125 mJ | 125 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 40 V | 40 V | 40 V | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 80 A | 80 A | 80 A | 80 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0054 Ω | 0.0057 Ω | 0.0057 Ω | 0.0054 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-263AB | TO-220AB | TO-262AA | TO-263AB |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSFM-T3 | R-PSIP-T3 | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 3 | 3 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | FLANGE MOUNT | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 320 A | 320 A | 320 A | 320 A |
| 表面贴装 | YES | NO | NO | YES |
| 端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | - | 1 |
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