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BD690CS_L2_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 3A, 90V V(RRM), Silicon, TO-252,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小253KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BD690CS_L2_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 3A, 90V V(RRM), Silicon, TO-252,

BD690CS_L2_00001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PSSO-G2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.8 V
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流75 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压90 V
最大反向电流50 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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PBD640CS~BD6200CS
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
Voltage
Features
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
For surface mounted applications in order to optimize board space
Low power loss, High efficiency
High surge capacity
High temperature soldering guaranteed:260 C/10 seconds at terminals
For use in low voltage, high frequency inverters free wheeling, and
polarity protection applications
Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive.
Green molding compound as per IEC61249 Std..(Halogen Free)
o
40~200 V
Current
6A
Mechanical Data
Case: TO-252 Molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: As marking
Standard packaging: 16mm tape (EIA-481)
Approx. Weight: 0.0104 ounces, 0.297 grams
Marking: Part number
Maximum Ratings
(T
A
=25 C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum rms voltage
Maximum dc blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current : 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Maximum forward voltage at 3A per diode
Maximum dc reverse current at
rated dc blocking voltage
Typical thermal resistance
Operating junction and storage temperature
T
J
,T
STG
range
-55 to +150
o
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F(AV)
I
FSM
V
F
BD640CS
BD645CS
BD650CS
BD660CS
BD680CS
BD690CS
BD6100CS
BD6150CS
BD6200CS
UNIT
V
V
V
A
A
40
28
40
45
31.5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
6
75
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0.7
0.75
0.05
0.8
0.9
V
TJ=25
o
C
I
R
TJ=100
o
C
R
JC
mA
20
5
o
C/W
-65 to +175
o
C
Note: Both Bonding and Chip structure are available.
November 12,2014-REV.02
Page 1
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