HCT SERIES, 4-BIT MAGNITUDE COMPARATOR, TRUE OUTPUT, CDFP16
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | DFP |
| 包装说明 | METAL SEALED, CERAMIC, DFP-16 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | CASCADABLE |
| 系列 | HCT |
| JESD-30 代码 | R-CDFP-F16 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 逻辑集成电路类型 | MAGNITUDE COMPARATOR |
| 位数 | 4 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出极性 | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DFP |
| 封装等效代码 | FL16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK |
| 电源 | 5 V |
| 传播延迟（tpd） | 66 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535V;38534K;883S |
| 座面最大高度 | 2.92 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | GOLD |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 总剂量 | 100k Rad(Si) V |
| 宽度 | 6.73 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962R9576801VXC | 5962R9576801VEC | |
|---|---|---|
| 描述 | HCT SERIES, 4-BIT MAGNITUDE COMPARATOR, TRUE OUTPUT, CDFP16 | HCT SERIES, 4-BIT MAGNITUDE COMPARATOR, TRUE OUTPUT, CDIP16, METAL SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | DFP | DIP |
| 包装说明 | METAL SEALED, CERAMIC, DFP-16 | DIP, DIP16,.3 |
| 针数 | 16 | 16 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 其他特性 | CASCADABLE | CASCADABLE |
| 系列 | HCT | HCT |
| JESD-30 代码 | R-CDFP-F16 | R-CDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 |
| 逻辑集成电路类型 | MAGNITUDE COMPARATOR | MAGNITUDE COMPARATOR |
| 位数 | 4 | 4 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 16 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 输出极性 | TRUE | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DFP | DIP |
| 封装等效代码 | FL16,.3 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK | IN-LINE |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 传播延迟（tpd） | 66 ns | 66 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535V;38534K;883S | 38535V;38534K;883S |
| 座面最大高度 | 2.92 mm | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | GOLD | GOLD |
| 端子形式 | FLAT | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 总剂量 | 100k Rad(Si) V | 100k Rad(Si) V |
| 宽度 | 6.73 mm | 7.62 mm |
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