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STF57N65M5

产品描述MOSFET N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共22页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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STF57N65M5概述

MOSFET N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2

STF57N65M5规格参数

参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
是否Rohs认证符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time17 weeks
雪崩能效等级(Eas)960 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压650 V
最大漏极电流 (ID)42 A
最大漏源导通电阻0.063 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)168 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

STF57N65M5相似产品对比

STF57N65M5 STP57N65M5
描述 MOSFET N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2 MOSFET N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2
Brand Name STMicroelectronics STMicroelectronics
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 17 weeks 17 weeks
雪崩能效等级(Eas) 960 mJ 960 mJ
外壳连接 ISOLATED DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 650 V 650 V
最大漏极电流 (ID) 42 A 42 A
最大漏源导通电阻 0.063 Ω 0.063 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 168 A 168 A
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1

 
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