IRL3705Z,IRL3705Z pdf中文资料,IRL3705Z引脚图,IRL3705Z电路-Datasheet-电子工程世界

IRL3705Z: 产品描述AUTOMOTIVE MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小376KB，共12页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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IRL3705Z概述

AUTOMOTIVE MOSFET

IRL3705Z规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	120 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	86 A
最大漏极电流 (ID)	75 A
最大漏源导通电阻	0.008 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	225
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	130 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	340 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

IRL3705Z相似产品对比

	IRL3705Z	IRL3705ZL	IRL3705ZS	IRL3705ZSTRR	IRL3705ZSTRRPBF
描述	AUTOMOTIVE MOSFET	AUTOMOTIVE MOSFET	AUTOMOTIVE MOSFET	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	符合
零件包装代码	TO-220AB	TO-262AA	D2PAK	D2PAK	D2PAK
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3	3	3	3	3
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）	120 mJ	180 mJ	180 mJ	180 mJ	180 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	55 V	55 V	55 V	55 V	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	86 A	86 A	86 A	86 A	86 A
最大漏极电流 (ID)	75 A	75 A	75 A	75 A	75 A
最大漏源导通电阻	0.008 Ω	0.008 Ω	0.008 Ω	0.008 Ω	0.008 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-262AA	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e3
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	2	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	260	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	130 W	130 W	130 W	130 W	130 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	340 A	340 A	340 A	340 A	340 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	YES	YES	YES
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	NOT SPECIFIED	30
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	-	International Rectifier （ Infineon ）
湿度敏感等级	-	-	1	1	1

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