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std25nf

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器件名 厂商 描 述 功能
STD25NF10 ST(意法半导体) N-CHANNEL 100V - 0.033ohm - 25A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET 下载
STD25NF10L ST(意法半导体) N-CHANNEL 100V - 0.030 ohm - 25A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET 下载
STD25NF10LA ST(意法半导体) MOSFET 100 V Mosfet 35 RDS 25A D2PAK 下载
STD25NF10LA 台湾微碧(VBsemi) N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 下载
STD25NF10LA ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
STD25NF10LT4 ST(意法半导体) 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W 类型:N沟道 N沟道,100V,25A,40mΩ@4.5V 下载
STD25NF10T4 ST(意法半导体) 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:38mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W 类型:N沟道 下载
STD25NF10T4 台湾微碧(VBsemi) N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 下载
STD25NF20 ST(意法半导体) 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:125mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 200V 18A 下载
std25nf的相关参数为:

器件描述

N-CHANNEL 100V - 0.033ohm - 25A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码TO-252
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)480 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)25 A
最大漏极电流 (ID)25 A
最大漏源导通电阻0.038 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)100 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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