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std20nf2

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器件名 厂商 描 述 功能
STD20NF20 ST(意法半导体) 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:125mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,200V,18A,1.25Ω@10V 下载
STD20NF20 ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
STD20NF20_09 ST(意法半导体) 18 A, 200 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 下载
std20nf2的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:125mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,200V,18A,1.25Ω@10V

参数
参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
厂商名称ST(意法半导体)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks 2 days
Samacsys DescriptionNULL
雪崩能效等级(Eas)110 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)18 A
最大漏极电流 (ID)18 A
最大漏源导通电阻0.125 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)90 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)72 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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