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SI2302 KEXIN 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:85mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道 N 沟道 20V 下载
SI2302 BORN伯恩半导体 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道 MOSFET,N-channel 20V/10V 4A VGS(th)=0.9V 30mΩ@3A&4.5V,SOT-23 下载
SI2302 PUOLOP(迪浦) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 栅源极阈值电压:1.2V @ 50uA 漏源导通电阻:72mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道 . N沟道,20V,2.3A 下载
SI2302 MDD 20V N沟道 下载
SI2302 Hottech(合科泰) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.1A 栅源极阈值电压:1.2V @ 50uA 漏源导通电阻:72mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:N沟道 下载
SI2302 FMS(台湾美丽微) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.5A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道 下载
SI2302 BLUE ROCKET(蓝箭) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 栅源极阈值电压:1V @ 50uA 漏源导通电阻:115mΩ @ 3.1A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):900mW 类型:N沟道 下载
SI2302 Micro Commercial Components (MCC) Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 下载
SI2302 MCC MOSFET 20V 3A 下载
SI2302 HTSEMI( Jin Yu Semiconductor ) 20 V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 下载
SI2302-TP MCC 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 栅源极阈值电压:1.2V @ 50uA 漏源导通电阻:72mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道 N沟道,20V,3A,55mΩ@4.5V 下载
SI2302-TP Micro_Commercial_Co MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23 下载
SI2302-TP Micro Commercial Components (MCC) Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 下载
SI2302-TP-HF Micro Commercial Components (MCC) Power Field-Effect Transistor, 下载
SI2302_11 MCC N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 下载
SI2302A UMW(友台半导体) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 栅源极阈值电压:1.9V @ 250uA 漏源导通电阻:115mΩ @ 3.1A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道 - 下载
SI2302A-TP Micro Commercial Components (MCC) Small Signal Field-Effect Transistor, 下载
SI2302A-TP Micro_Commercial_Co N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE 下载
SI2302ADS Vishay 2100 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 下载
SI2302ADS-E3 Vishay TRANSISTOR 2100 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal 下载
SI2302ADS-T1 Vishay MOSFET 20V 2.4A 0.7W 下载
SI2302ADS-T1-E3 Vishay MOSFET 20V 2.4A 0.06Ohm 下载
SI2302ADS-T1-GE3 Vishay MOSFET 20V 2.4A 0.9W 60mohm @ 4.5V 下载
SI2302B UMW(友台半导体) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.5A 栅源极阈值电压:1.2V @ 50uA 漏源导通电阻:70mΩ @ 2.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:N沟道 下载
SI2302CDS Vishay Telefunken (Vishay) N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 下载
SI2302CDS Vishay VISHAY SILICONIX - SI2302CDS-T1-E3 - MOSFET; N CH; 20V; 2.6A; SOT-23-3 下载
SI2302CDS-T1-E3 Vishay 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.6A 栅源极阈值电压:850mV @ 250uA 漏源导通电阻:57mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):710mW 类型:N沟道 下载
SI2302CDS-T1-GE3 Vishay 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.9A 栅源极阈值电压:850mV @ 250uA 漏源导通电阻:57mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):710mW 类型:N沟道 N沟道,20V,2.9A,57mΩ@4.5V 下载
SI2302DDS Vishay Telefunken (Vishay) N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 下载
SI2302DDS-T1-GE3 Vishay 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.9A(Tj) 栅源极阈值电压:850mV @ 250uA 漏源导通电阻:57mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):710mW 类型:N沟道 下载
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