器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
IRFU9210 | International Rectifier ( Infineon ) | Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.9A) | 下载 |
IRFU9210 | Kersemi Electronic | Power MOSFET | 下载 |
IRFU9210 | SAMSUNG(三星) | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3 | 下载 |
IRFU9210 | Thomson Consumer Electronics | Transistor | 下载 |
IRFU9210 | Vishay(威世) | MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp | 下载 |
IRFU9210N | International Rectifier ( Infineon ) | HEXFET Power MOSFET | 下载 |
IRFU9210PBF | International Rectifier ( Infineon ) | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -200V , RDS(on) = 3.0ヘ , ID = -1.9A ) | 下载 |
IRFU9210PBF | Kersemi Electronic | Power MOSFET | 下载 |
IRFU9210PBF | Vishay(威世) | MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp | 下载 |
MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) |
零件包装代码 | TO-251AA |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 300 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 1.9 A |
最大漏极电流 (ID) | 1.9 A |
最大漏源导通电阻 | 3 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-251AA |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2.5 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 7.6 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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