电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

irfs730

在9个相关元器件中,irfs730有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IRFS730 SAMSUNG(三星) Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN 下载
IRFS730 蓝箭(BLUE ROCKET) N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package 下载
IRFS730 ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
IRFS730A Fairchild Advanced Power MOSFET 下载
IRFS730A SAMSUNG(三星) Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220F, 3 PIN 下载
IRFS730A ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
IRFS730B Fairchild 5.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRFS730B Kersemi Electronic 400V N-Channel MOSFET 下载
IRFS730B Rochester Electronics 5.5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN 下载
irfs730的相关参数为:

器件描述

Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

参数
参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码SFM
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)117 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
最小漏源击穿电压400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.5 A
最大漏极电流 (ID)3.7 A
最大漏源导通电阻1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值35 W
最大功率耗散 (Abs)35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)32 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)80 ns
最大开启时间(吨)46 ns
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   4L 69 98 AY BG BV CA CN GU O1 SM W6 XT ZB ZD

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved