器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
IRFS730 | SAMSUNG(三星) | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 下载 |
IRFS730 | 蓝箭(BLUE ROCKET) | N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package | 下载 |
IRFS730 | ISC | isc N-Channel MOSFET Transistor | 下载 |
IRFS730A | Fairchild | Advanced Power MOSFET | 下载 |
IRFS730A | SAMSUNG(三星) | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220F, 3 PIN | 下载 |
IRFS730A | ISC | isc N-Channel MOSFET Transistor | 下载 |
IRFS730B | Fairchild | 5.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 下载 |
IRFS730B | Kersemi Electronic | 400V N-Channel MOSFET | 下载 |
IRFS730B | Rochester Electronics | 5.5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | 下载 |
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | SFM |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
雪崩能效等级(Eas) | 117 mJ |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 400 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 3.5 A |
最大漏极电流 (ID) | 3.7 A |
最大漏源导通电阻 | 1 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 35 W |
最大功率耗散 (Abs) | 35 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 32 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 80 ns |
最大开启时间(吨) | 46 ns |
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