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irfb3607p

在4个相关元器件中,irfb3607p有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IRFB3607PBF International Rectifier ( Infineon ) 80 A, 75 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRFB3607PBF Infineon(英飞凌) Operational Amplifiers - Op Amps Dual Low Power 下载
IRFB3607PBF IR 漏源电压(Vdss):75V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 栅源极阈值电压:4V @ 100uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 46A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):140W 类型:N沟道 N沟道,75V,80A,9mΩ@10V 下载
IRFB3607PbF Thinki Semiconductor Co.,Ltd. ThinkiSemi 85V,92A N-Channel Trench Process Power MOSFETs 下载
irfb3607p的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):75V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 栅源极阈值电压:4V @ 100uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 46A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):140W 类型:N沟道 N沟道,75V,80A,9mΩ@10V

参数
参数名称属性值
漏源电压(Vdss)75V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)80A
栅源极阈值电压4V @ 100uA
漏源导通电阻9mΩ @ 46A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)140W
类型N沟道
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