器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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IPD50R280CE | Infineon(英飞凌) | —— | 下载 |
IPD50R280CE | ISC | N-Channel MOSFET Transistor | 下载 |
IPD50R280CE_16 | Infineon(英飞凌) | 500V CoolMOSª CE Power Transistor | 下载 |
IPD50R280CEATMA1 | Infineon(英飞凌) | Data Acquisition ADCs/DACs - Specialized IC 10-16 Bit R/D Cnvtr w/Ref Oscilltr | 下载 |
IPD50R280CEAUMA1 | Infineon(英飞凌) | 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18.1A(Tc) 栅源极阈值电压:3.5V @ 350uA 漏源导通电阻:280mΩ @ 4.2A,13V 最大功率耗散(Ta=25°C):119W(Tc) 类型:N沟道 | 下载 |
IPD50R280CEBTMA1 | Infineon(英飞凌) | Fixed Inductors 4.7uH 20% | 下载 |
对应元器件 | pdf文档资料下载 |
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IPD50R280CEATMA1 、 IPD50R280CEBTMA1 | 下载文档 |
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型号 | IPD50R280CE | IPD50R280CEAUMA1 |
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描述 | 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18.1A(Tc) 栅源极阈值电压:3.5V @ 350uA 漏源导通电阻:280mΩ @ 4.2A,13V 最大功率耗散(Ta=25°C):119W(Tc) 类型:N沟道 |
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