电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

idt70v08s20pfi

在2个相关元器件中,idt70v08s20pfi有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IDT70V08S20PFI IDT(艾迪悌) 64K X 8 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100 下载
IDT70V08S20PFI IDT (Integrated Device Technology) Dual-Port SRAM, 64KX8, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 下载
idt70v08s20pfi的相关参数为:

器件描述

Dual-Port SRAM, 64KX8, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100

参数
参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
针数100
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.B
Is SamacsysN
最长访问时间20 ns
JESD-30 代码S-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度14 mm
内存密度524288 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量100
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFQFP
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度14 mm
Base Number Matches1
小广播

技术资料推荐更多

论坛推荐更多

技术视频推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   0W 29 41 4X 50 5U 6G 8I DG GX MV PE PY TC UZ

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved