器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
G3K | GE Sensing ( Amphenol Advanced Sensors ) | 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE | 下载 |
G3K | Gulf Semiconductor | 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE | 下载 |
G3K | Vishay(威世) | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, CASE G-3, 2 PIN | 下载 |
G3K | Sun Wai Electronic Co | Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 800V V(RRM) | 下载 |
G3K | General Instrument Corp | Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, | 下载 |
G3K | GE | GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER | 下载 |
G3K-2R2P-1 | OMRON | Analog Circuit | 下载 |
G3KF | 扬杰科技(YANGJIE) | General Purpose Rectifier | 下载 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon,
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | General Instrument Corp |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | PATENTED DEVICE |
应用 | GENERAL PURPOSE |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.1 V |
JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流 | 125 A |
元件数量 | 1 |
相数 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
最大输出电流 | 3 A |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 800 V |
最大反向电流 | 5 µA |
最大反向恢复时间 | 3 µs |
表面贴装 | NO |
技术 | AVALANCHE |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
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