器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
ESD8104MUTAG | ON Semiconductor(安森美) | 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):16A 箝位电压:11.4V (Typ) 击穿电压(最小值):4V 反向关断电压(典型值):3.3V (Max) | 下载 |
极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):16A 箝位电压:11.4V (Typ) 击穿电压(最小值):4V 反向关断电压(典型值):3.3V (Max)
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | ON Semiconductor |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
包装说明 | UDFN-10 |
针数 | 10 |
制造商包装代码 | 517BB |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 9 weeks |
Samacsys Description | ON Semiconductor ESD8104MUTAG, Quad Uni-Directional ESD Protection Diode, 10-Pin U-DFN2510 |
其他特性 | ULTRA LOW CAPACITANCE |
最小击穿电压 | 4 V |
击穿电压标称值 | 5 V |
最大钳位电压 | 11.4 V |
配置 | COMMON ANODE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-N10 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 4 |
端子数量 | 10 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
参考标准 | IEC-61000-4-2 |
最大重复峰值反向电压 | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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