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esd8104mutag

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器件名 厂商 描 述 功能
ESD8104MUTAG ON Semiconductor(安森美) 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):16A 箝位电压:11.4V (Typ) 击穿电压(最小值):4V 反向关断电压(典型值):3.3V (Max) 下载
esd8104mutag的相关参数为:

器件描述

极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):16A 箝位电压:11.4V (Typ) 击穿电压(最小值):4V 反向关断电压(典型值):3.3V (Max)

参数
参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明UDFN-10
针数10
制造商包装代码517BB
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time9 weeks
Samacsys DescriptionON Semiconductor ESD8104MUTAG, Quad Uni-Directional ESD Protection Diode, 10-Pin U-DFN2510
其他特性ULTRA LOW CAPACITANCE
最小击穿电压4 V
击穿电压标称值5 V
最大钳位电压11.4 V
配置COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-N10
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量4
端子数量10
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
参考标准IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压3.3 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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